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J-GLOBAL ID:201303045845034151
半導体テスト治具およびそれを用いた耐圧測定方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2):
吉竹 英俊
, 有田 貴弘
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2011239841
Publication number (International publication number):2013096837
Application date: Nov. 01, 2011
Publication date: May. 20, 2013
Summary:
【課題】本発明は、半導体チップの耐圧測定を大気放電を発生させずに安価に行うことが可能な半導体テスト治具およびそれを用いた耐圧測定方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明による半導体テスト治具は、プローブピン3と、プローブピン3を平面視で囲むように設けられた絶縁物2とが配設されたサセプタ1と、サセプタ1のプローブピン3および絶縁物2が配設された側の面に対向して配置され、サセプタ1側の面上に半導体チップ4を載置することが可能な下電極ステージ7とを備え、下電極ステージ7に半導体チップ4を載置してサセプタ1と下電極ステージ7とが接近する方向に移動する際、プローブピン3が半導体チップ4に形成された表面電極5と接触するとともに、絶縁物2が半導体チップ4および下電極ステージ7の両方に接触することを特徴とする。【選択図】図1
Claim (excerpt):
プローブピンと、
前記プローブピンを平面視で囲むように設けられた絶縁物と、
が配設された治具土台と、
前記治具土台の前記プローブピンおよび前記絶縁物が配設された側の面に対向して配置され、前記治具土台側の面上に被検体を載置することが可能なステージと、
を備え、
前記ステージに前記被検体を載置して前記治具土台と前記ステージとが接近する方向に移動する際、前記プローブピンが前記被検体に形成された電極と接触するとともに、前記絶縁物が前記被検体および前記ステージの両方に接触することを特徴とする、半導体テスト治具。
IPC (2):
FI (4):
G01R31/26 J
, G01R31/26 B
, G01R1/06 D
, G01R1/06 Z
F-Term (12):
2G003AA02
, 2G003AC08
, 2G003AD09
, 2G003AE09
, 2G003AG03
, 2G003AH07
, 2G011AA02
, 2G011AA16
, 2G011AB06
, 2G011AC31
, 2G011AE03
, 2G011AF07
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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