窒化物半導体装置およびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：山田卓二 , 中野晴夫
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2004214259
Publication number (International publication number)：2006040932
Patent number：4781643
Application date： Jul. 22, 2004
Publication date： Feb. 09, 2006
Claim (excerpt)：

【請求項1】表面と裏面とを有するシリコン基板と、該シリコン基板の表面上に設けられた窒化物半導体層とを有する窒化物半導体装置であって、該シリコン基板の裏面上に、窒化物半導体、シリコンカーバイド、窒化ボロン、および酸化亜鉛からなる群から選択される材料からなる高熱伝導性絶縁物質層が設けられたことを特徴とする窒化物半導体装置。

IPC (4)：

H01S 5/323 ( 200 6.01) , H01L 21/338 ( 200 6.01) , H01L 29/778 ( 200 6.01) , H01L 29/812 ( 200 6.01)

FI (2)：

H01S 5/323 610 , H01L 29/80 H

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

窒化物系半導体の製造方法及びそれを用いた窒化物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-019655 Applicant：松下電器産業株式会社
半導体結晶性膜の成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-121301 Applicant：日本電気株式会社
気相成長用基板及びその加熱方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-225159 Applicant：株式会社東芝

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Cited by examiner (7)

窒化物系半導体の製造方法及びそれを用いた窒化物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-019655 Applicant：松下電器産業株式会社
半導体結晶性膜の成長方法
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気相成長用基板及びその加熱方法
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