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J-GLOBAL ID：201303046786450088

窒化物半導体装置およびその製造方法

Inventor： 竹内 日出雄 ,  山本 佳嗣
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (2)： 山田 卓二 ,  中野 晴夫
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2004214259
Publication number (International publication number)：2006040932
Patent number：4781643
Application date： Jul. 22, 2004
Publication date： Feb. 09, 2006
Claim (excerpt)：

【請求項1】 表面と裏面とを有するシリコン基板と、該シリコン基板の表面上に設けられた窒化物半導体層とを有する窒化物半導体装置であって、 該シリコン基板の裏面上に、窒化物半導体、シリコンカーバイド、窒化ボロン、および酸化亜鉛からなる群から選択される材料からなる高熱伝導性絶縁物質層が設けられたことを特徴とする窒化物半導体装置。

IPC (4)：

H01S 5/323 ( 200 6.01) ,  H01L 21/338 ( 200 6.01) ,  H01L 29/778 ( 200 6.01) ,  H01L 29/812 ( 200 6.01)

FI (2)：

H01S 5/323 610 ,  H01L 29/80 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 窒化物系半導体の製造方法及びそれを用いた窒化物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-019655   Applicant：松下電器産業株式会社
• 半導体結晶性膜の成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-121301   Applicant：日本電気株式会社
• 気相成長用基板及びその加熱方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-225159   Applicant：株式会社東芝
• 半導体発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-139491   Applicant：富士通株式会社
• 窒化物系III-V族化合物半導体結晶膜、窒化物系III-V族化合物半導体結晶膜をもちいた半導体装置及び窒化物系III-V族化合物半導体結晶膜をもちいた半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-082360   Applicant：日本電気株式会社, 長谷川文夫
• 窒化ガリウム系化合物半導体素子の製造方法、および窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-293978   Applicant：株式会社東芝
• 金属酸化物被着体およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-319124   Applicant：株式会社日本触媒