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J-GLOBAL ID：200903070264429505

窒化物系III-V族化合物半導体結晶膜、窒化物系III-V族化合物半導体結晶膜をもちいた半導体装置及び窒化物系III-V族化合物半導体結晶膜をもちいた半導体レーザ

Inventor：
長谷川 文夫

About 長谷川 文夫

, 
碓井 彰

About 碓井 彰


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社

, 
長谷川 文夫

About 長谷川 文夫


Agent (2)： 京本 直樹 (外2名) ,  後藤 洋介 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999082360
Publication number (International publication number)：2000277440
Application date： Mar. 25, 1999
Publication date： Oct. 06, 2000
Summary：
【要約】【目的】 GaAsなどのIII-V族化合物半導体結晶基板上にサファイア基板と同様に900°C以上の高温で結晶性、光学的・電気的特性に優れた六方晶系GaN、AlNの結晶膜を成膜する。【解決手段】V族元素として砒素又は、燐をからなるIII-V族化合物半導体結晶基板上に、900°C以上の成長温度で成長させた六方晶AlxGayIn(1-x-y)N(0≦x≦1,0≦x+y≦1)系化合物半導体層が少なくとも成長温度が異なる二層以上のAlxGayIn(1-x-y)N(0≦x≦1,0≦x+y≦1)系化合物半導体層上に成膜されていることを特徴とする窒化物系III-V族化合物半導体の結晶膜。900°C以上の成長温度で成長させた六方晶AlxGayIn(1-x-y)N(0≦x≦1,0≦x+y≦1)系化合物半導体層は、V族元素として砒素又は、燐からなるIII-V族化合物半導体結晶基板の(111)面に堆積されている。
Claim (excerpt)：
V族元素として砒素又は、燐をからなるIII-V族化合物半導体結晶基板上に、900°C以上の成長温度で成長させた六方晶AlxGayIn(1-x-y)N(0≦x≦1,0≦x+y≦1)系化合物半導体層を含む層構造が堆積されていることを特徴とする窒化物系III-V族化合物半導体の結晶膜。
IPC (2)：
H01L 21/205 ,  H01L 33/00
FI (2)：
H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C
F-Term (53)：
5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA64 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA74 ,  5F041CB04 ,  5F045AA02 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AD17 ,  5F045AD18 ,  5F045AE29 ,  5F045AF01 ,  5F045AF04 ,  5F045CA02 ,  5F045CA05 ,  5F045CA12 ,  5F045DA51 ,  5F045DA53 ,  5F045DA62 ,  5F045DA67 ,  5F045DB01 ,  5F045DP07 ,  5F045DQ03 ,  5F045DQ06 ,  5F045DQ08 ,  5F045DQ11 ,  5F045EC01 ,  5F045EC02 ,  5F045HA04
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (11)
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