Pat
J-GLOBAL ID：201303063116515520

半導体装置及び半導体装置の作製方法、並びに酸化膜の作製方法

Inventor：
野田 耕生

About 野田 耕生

, 
平石 鈴之介

About 平石 鈴之介


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2013038884
Publication number (International publication number)：2013211544
Application date： Feb. 28, 2013
Publication date： Oct. 10, 2013
Summary：
【課題】酸素欠損が低減された酸化物半導体膜を用いた半導体装置を提供する。また、良好な電気特性を有し、高性能な半導体装置を提供する。また、当該半導体装置の作製方法を提供する。また、酸素欠損が低減された酸化物半導体膜の作製方法を提供する。【解決手段】酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜に接して設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介して、酸化物半導体膜と重畳して設けられたゲート電極と、を少なくとも有し、酸化物半導体膜は、電子スピン共鳴法によって計測されるg(g値)が1.93付近の信号のピークから算出されたスピン密度が9.3×1016spins/cm3未満であり、キャリア密度が1×1015/cm3未満の半導体装置である。当該酸化物半導体膜は、スパッタリング法を用いて形成する際に、基板側にバイアス電力を供給し、自己バイアス電圧を制御しながら形成した後、加熱処理を行うことで形成できる。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
酸化物半導体膜と、 前記酸化物半導体膜に接して設けられたゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜を介して、前記酸化物半導体膜と重畳して設けられたゲート電極と、を少なくとも有し、 前記酸化物半導体膜は、電子スピン共鳴法によって計測されるg(g値)が1.93付近の信号のピークから算出されたスピン密度が9.3×1016spins/cm3未満であり、キャリア密度が1×1015/cm3未満であることを特徴とする半導体装置。
IPC (10)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/115 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 51/50 ,  G09F 9/30
FI (9)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A ,  H01L27/10 434 ,  H01L27/10 321 ,  H01L27/10 441 ,  H01L29/78 371 ,  H01L27/10 671Z ,  H05B33/14 A ,  G09F9/30 338
F-Term (138)：
2H192AA24 ,  2H192CB02 ,  2H192CB05 ,  2H192CB37 ,  2H192CB53 ,  2H192EA61 ,  2H192EA74 ,  2H192FB02 ,  2H192HA13 ,  2H192HA22 ,  2H192HA88 ,  2H192HA90 ,  2H192HA91 ,  3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC31 ,  3K107EE03 ,  3K107GG00 ,  3K107HH05 ,  5C094AA25 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094DA13 ,  5C094FB14 ,  5C094GB10 ,  5F083AD02 ,  5F083AD21 ,  5F083AD69 ,  5F083BS02 ,  5F083BS10 ,  5F083BS14 ,  5F083BS22 ,  5F083BS27 ,  5F083EP02 ,  5F083EP21 ,  5F083ER21 ,  5F083GA11 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083JA02 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA42 ,  5F083JA56 ,  5F083JA58 ,  5F083JA60 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33 ,  5F083PR40 ,  5F101BA17 ,  5F101BB01 ,  5F101BD12 ,  5F101BD30 ,  5F101BD39 ,  5F101BE07 ,  5F101BH16 ,  5F110AA06 ,  5F110AA08 ,  5F110AA26 ,  5F110BB02 ,  5F110BB06 ,  5F110BB07 ,  5F110CC01 ,  5F110CC02 ,  5F110CC06 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD07 ,  5F110DD08 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD24 ,  5F110DD25 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE15 ,  5F110EE23 ,  5F110EE32 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF04 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK22 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL12 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN27 ,  5F110NN28 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN40 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN74 ,  5F110PP02 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP35
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM