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J-GLOBAL ID：201203030196457825

半導体装置、及びその作製方法

Inventor：
野中 裕介

About 野中 裕介


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011246992
Publication number (International publication number)：2012119672
Application date： Nov. 11, 2011
Publication date： Jun. 21, 2012
Summary：
【課題】酸素過剰な酸化物半導体を再現性良く形成する方法、及び酸化物半導体中に外部から水素や水が極力混入しないデバイス構成によって信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】酸化物半導体を含むトランジスタの作製方法において、スパッタガスの全流量に対する酸素流量の割合を90%以上100%以下として、金属酸化物をスパッタすることで酸素過剰な状態の酸化物半導体層を形成し、該酸化物半導体層を緻密な金属酸化物で封じた構成とすることで、水素や水などの不純物を極力混入させないデバイス構成とする。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
絶縁表面上に下地膜を形成し、 前記下地膜上に酸化物半導体層を形成し、 前記酸化物半導体層の一部と接するソース電極層及びドレイン電極層を形成し、 前記酸化物半導体層、前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層上にゲート絶縁層を形成し、 前記ゲート絶縁層上に前記酸化物半導体層の一部と重なるようにゲート電極層を形成する工程において、 前記酸化物半導体層は、スパッタガスの全流量に対する酸素流量の割合を90%以上100%以下として、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む金属酸化物をスパッタすることにより形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (2)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (7)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/78 617V ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 617L ,  H01L29/78 617M
F-Term (47)：
5F110AA21 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG17 ,  5F110GG25 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK33 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN34 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ19
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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