窒化物半導体装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (5)：三好秀和 , 岩▲崎▼ 幸邦 , 伊藤正和 , 高橋俊一 , 高松俊雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011173507
Publication number (International publication number)：2013038239
Application date： Aug. 09, 2011
Publication date： Feb. 21, 2013
Summary：

【課題】ドレイン電極配線によって形成されるフィールドプレートに起因する電流コラプス現象への影響が抑制された窒化物半導体装置を提供する。【解決手段】窒化物半導体からなる機能層20と、機能層20上に離間して配置されたソース電極3及びドレイン電極4と、ソース電極3とドレイン電極4間で機能層20上に配置されたゲート電極5と、機能層20上に配置された層間絶縁膜7と、層間絶縁膜7上に配置され、ドレイン電極4と電気的に接続されたドレイン電極配線41とを備える窒化物半導体装置であって、ゲート電極5とドレイン電極4間において、層間絶縁膜7を介してドレイン電極配線41が機能層20と対向する領域を有さない。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

窒化物半導体からなる機能層と、前記機能層上に離間して配置されたソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極間で前記機能層上に配置されたゲート電極と、前記機能層上に配置された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に配置され、前記ドレイン電極と電気的に接続されたドレイン電極配線とを備え、前記ゲート電極と前記ドレイン電極間において、前記層間絶縁膜を介して前記ドレイン電極配線が前記機能層と対向する領域を有さないことを特徴とする窒化物半導体装置。

IPC (9)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 29/06 , H01L 29/41 , H01L 21/28 , H01L 21/320 , H01L 21/768 , H01L 23/522

FI (5)：

H01L29/80 H , H01L29/06 301F , H01L29/44 Y , H01L21/28 301B , H01L21/88 Z

F-Term (48)：

4M104AA04 , 4M104AA07 , 4M104BB02 , 4M104BB05 , 4M104BB14 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104FF07 , 4M104FF10 , 4M104GG12 , 4M104GG18 , 4M104HH18 , 4M104HH20 , 5F033GG02 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH13 , 5F033JJ01 , 5F033KK01 , 5F033KK08 , 5F033KK18 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033RR04 , 5F033TT02 , 5F033UU04 , 5F033VV06 , 5F033XX00 , 5F033XX26 , 5F102FA01 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ04 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GK08 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102GR12 , 5F102GS01 , 5F102GS04 , 5F102GT04 , 5F102GV06 , 5F102GV07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2009-144323 Applicant：富士通株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-077758 Applicant：サンケン電気株式会社
電界効果半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-080094 Applicant：サンケン電気株式会社

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