半導体装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (6)：三好秀和 , 岩▲崎▼ 幸邦 , 川又澄雄 , 伊藤正和 , 高橋俊一 , 高松俊雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007077758
Publication number (International publication number)：2008243848
Application date： Mar. 23, 2007
Publication date： Oct. 09, 2008
Summary：

【課題】窒化物系化合物半導体層の上に絶縁膜を介してフィールドプレート電極を有し、それと電気的に接続され且つ窒化物系化合物半導体層とショットキー接触した電極を有する半導体装置において、高電圧動作時の抵抗値および漏れ電流を低減化する。【解決手段】窒化物系化合物半導体層4上において、徐々に厚くなる傾斜部を有する絶縁膜8と、窒化物系化合物半導体層上から絶縁膜8の傾斜部上を延伸するように設けられ、窒化物系化合物半導体層4にショットキー接触する電極9とを有し、絶縁膜8の底面における電極9が設けられた側の端点Aと、絶縁膜8の傾斜部上に形成された電極9の底面における端点Bとを結ぶ仮想線と窒化物系化合物半導体層4の上面との間の角度α1が1度以上40度以下である半導体装置。【選択図】図7

Claim (excerpt)：

窒化物系化合物半導体層上において、徐々に厚くなる傾斜部を有する絶縁膜と、前記窒化物系化合物半導体層上から前記絶縁膜の傾斜部上を延伸するように設けられた電極とを有し、前記絶縁膜の底面における前記電極が設けられた側の端点と、前記絶縁膜の傾斜部上に形成された前記電極の底面における端点とを結ぶ仮想線と前記窒化物系化合物半導体層の上面との間の角度が1度以上40度以下であることを特徴とする半導体装置。

IPC (8)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 29/78 , H01L 21/28 , H01L 29/41 , H01L 29/423 , H01L 29/06

FI (7)：

H01L29/80 H , H01L29/80 Q , H01L29/78 301B , H01L21/28 301B , H01L29/44 Y , H01L29/58 Z , H01L29/06 301F

F-Term (27)：

4M104AA04 , 4M104CC03 , 4M104CC05 , 4M104DD16 , 4M104FF10 , 4M104GG08 , 4M104GG09 , 4M104GG12 , 4M104GG18 , 5F102FA00 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GD04 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ10 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102GR11 , 5F102GV07 , 5F102HC15 , 5F140BA06 , 5F140BD18 , 5F140BF44 , 5F140CD09

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

電力用半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-327654 Applicant：株式会社東芝
電界効果トランジスタ
Gazette classification：再公表公報 Application number：JP2005002712 Applicant：日本電気株式会社
薄膜SOI装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-337036 Applicant：エヌ・ベー・フィリップス・フルーイランペンファブリケン

Cited by examiner (5)

電界効果型トランジスタおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-042512 Applicant：NEC化合物デバイス株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-159175 Applicant：富士電機株式会社
半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-255603 Applicant：古河電気工業株式会社

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