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J-GLOBAL ID：201303078003244617

光学デバイスおよびその製造方法

Inventor：
島津 武仁

About 島津 武仁

, 
大場 健司

About 大場 健司

, 
古堅 由紀子

About 古堅 由紀子


Applicant, Patent owner：
国立大学法人東北大学

About 国立大学法人東北大学

, 
京セラクリスタルデバイス株式会社

About 京セラクリスタルデバイス株式会社


Agent (2)： 山川 政樹 ,  山川 茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012111726
Publication number (International publication number)：2013238738
Application date： May. 15, 2012
Publication date： Nov. 28, 2013
Summary：
【課題】製品コストの上昇を招くことなく、光学部品同士の接合強度が大きな光デバイスが製造できるようにする。【解決手段】酸化シリコンを含む透明な材料から構成された第1基板101の中央部を除く周辺部の接合領域に第1金属層102を形成し、第2基板103の一方の面に第2金属層104を形成し、第1基板101の第1金属層102と第2基板103の第2金属層104とを当接させる。第1金属層102,第2金属層104は、Au,Pt,およびこれらの金属を含む合金などの常温における酸化物の生成自由エネルギーが正の金属を含む金属材料から構成する。また、形成面の表面粗さの3倍以上の厚さに形成する。【選択図】 図1C
Claim (excerpt)：
二酸化ケイ素を含む透明な材料から構成された第1基板の中央部を除く周辺部の接合領域に第1金属層を形成する工程と、 第2基板の一方の面に第2金属層を形成する工程と、 前記第1基板の前記第1金属層と前記第2基板の第2金属層とを当接させることで前記第1基板および前記第2基板を前記第1金属層および前記第2金属層により接合する工程と を少なくとも備え、 前記第1金属層および前記第2金属層は、常温における酸化物の生成自由エネルギーが正の金属を含む金属材料から構成することを特徴とする光学デバイスの製造方法。
IPC (1)：
G02B 5/28
FI (1)：
G02B5/28
F-Term (20)：
2H048FA05 ,  2H048FA07 ,  2H048FA09 ,  2H048FA24 ,  2H048FA25 ,  2H048GA04 ,  2H048GA13 ,  2H048GA27 ,  2H048GA60 ,  2H048GA61 ,  2H148FA05 ,  2H148FA07 ,  2H148FA09 ,  2H148FA24 ,  2H148FA25 ,  2H148GA04 ,  2H148GA13 ,  2H148GA27 ,  2H148GA60 ,  2H148GA61
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (3)

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