Pat
J-GLOBAL ID:201303078003244617
光学デバイスおよびその製造方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
,
Agent (2):
山川 政樹
, 山川 茂樹
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2012111726
Publication number (International publication number):2013238738
Application date: May. 15, 2012
Publication date: Nov. 28, 2013
Summary:
【課題】製品コストの上昇を招くことなく、光学部品同士の接合強度が大きな光デバイスが製造できるようにする。【解決手段】酸化シリコンを含む透明な材料から構成された第1基板101の中央部を除く周辺部の接合領域に第1金属層102を形成し、第2基板103の一方の面に第2金属層104を形成し、第1基板101の第1金属層102と第2基板103の第2金属層104とを当接させる。第1金属層102,第2金属層104は、Au,Pt,およびこれらの金属を含む合金などの常温における酸化物の生成自由エネルギーが正の金属を含む金属材料から構成する。また、形成面の表面粗さの3倍以上の厚さに形成する。【選択図】 図1C
Claim (excerpt):
二酸化ケイ素を含む透明な材料から構成された第1基板の中央部を除く周辺部の接合領域に第1金属層を形成する工程と、
第2基板の一方の面に第2金属層を形成する工程と、
前記第1基板の前記第1金属層と前記第2基板の第2金属層とを当接させることで前記第1基板および前記第2基板を前記第1金属層および前記第2金属層により接合する工程と
を少なくとも備え、
前記第1金属層および前記第2金属層は、常温における酸化物の生成自由エネルギーが正の金属を含む金属材料から構成することを特徴とする光学デバイスの製造方法。
IPC (1):
FI (1):
F-Term (20):
2H048FA05
, 2H048FA07
, 2H048FA09
, 2H048FA24
, 2H048FA25
, 2H048GA04
, 2H048GA13
, 2H048GA27
, 2H048GA60
, 2H048GA61
, 2H148FA05
, 2H148FA07
, 2H148FA09
, 2H148FA24
, 2H148FA25
, 2H148GA04
, 2H148GA13
, 2H148GA27
, 2H148GA60
, 2H148GA61
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3)
-
エアギャップ型エタロンフィルタとその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-396586
Applicant:東洋通信機株式会社
-
光変調器及び光変調器の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-064343
Applicant:セイコーエプソン株式会社
-
電子部品の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2008-082794
Applicant:パナソニック株式会社
Cited by examiner (3)
-
エアギャップ型エタロンフィルタとその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-396586
Applicant:東洋通信機株式会社
-
光変調器及び光変調器の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-064343
Applicant:セイコーエプソン株式会社
-
電子部品の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2008-082794
Applicant:パナソニック株式会社
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