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J-GLOBAL ID:200903014840050323

電子部品の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3): 岩橋 文雄 ,  内藤 浩樹 ,  永野 大介
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2008082794
Publication number (International publication number):2009238994
Application date: Mar. 27, 2008
Publication date: Oct. 15, 2009
Summary:
【課題】本発明は、個片化工程を有する電子部品の生産効率を向上させることを目的とする。【解決手段】そして、この目的を達成するために本発明は、媒質層11の表面にテープ13を貼り付け、媒質層10の裏面方向から、媒質層10内に焦点を有するレーザ14を照射し、このレーザ14の照射位置を媒質層10の面内方向に伸びる線15上に移動させて媒質層10内に改質領域16を形成し、媒質層10の裏面にテープ17を貼り付け、媒質層11の表面からテープ13を剥離し、媒質層11の表面方向から、媒質層11内に焦点を有するレーザ18を照射し、このレーザ18の照射位置を媒質層11の面内方向に伸びるとともに媒質層10の表面に関して線15と対称である線19上に移動させて媒質層11内に改質領域20を形成し、テープ17を拡張し素子形成層12を線15、19に沿って個片化する製造方法とした。【選択図】図9
Claim (excerpt):
第1の媒質層とこの第1の媒質層の表面にその裏面が形成された第2の媒質層とを有する素子形成層における前記第2の媒質層の表面に第1のテープを貼り付ける工程と、 前記素子形成層における前記第1の媒質層の裏面方向から、前記第1の媒質層内に焦点を有するレーザを照射するとともに前記レーザの照射位置を前記第1の媒質層の面方向に伸びる第1の線上に移動させて前記第1の媒質層内に多光子吸収による第1の改質領域を形成する工程と、 前記第1の媒質層の裏面に第2のテープを貼り付ける工程と、 前記第2の媒質層の表面から前記第1のテープを剥離する工程と、 前記第2の媒質層の表面方向から、前記第2の媒質層内に焦点を有するレーザを照射するとともに、前記レーザの照射位置を前記第2の媒質層の面方向に伸びる第2の線上に移動させて前記第2の媒質層内に多光子吸収による第2の改質領域を形成する工程と、 前記第2のテープを前記素子形成層の面方向に拡張し前記素子形成層を前記第1、第2の線に沿って個片化する工程とを有する 電子部品の製造方法。
IPC (4):
H01L 21/301 ,  B23K 26/38 ,  B23K 26/40 ,  B23K 26/00
FI (6):
H01L21/78 B ,  H01L21/78 Q ,  H01L21/78 M ,  B23K26/38 320 ,  B23K26/40 ,  B23K26/00 H
F-Term (2):
4E068AE00 ,  4E068DA09
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (8)
  • 特許第3762409号公報
  • ウェハの分断方法およびチップ
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2006-057336   Applicant:株式会社デンソー
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2004-155881   Applicant:株式会社ルネサステクノロジ
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Cited by examiner (6)
  • ウェハの分断方法およびチップ
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2006-057336   Applicant:株式会社デンソー
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2004-155881   Applicant:株式会社ルネサステクノロジ
  • ウエーハの分割方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2003-377357   Applicant:株式会社ディスコ
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