半導体装置およびその作製方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012149650
Publication number (International publication number)：2013038396
Application date： Jul. 03, 2012
Publication date： Feb. 21, 2013
Summary：

【課題】高い電界効果移動度を有し、しきい値電圧のばらつきが小さく、かつ高い信頼性を有する酸化物半導体を用いたトランジスタを有する半導体装置を提供する。【解決手段】加熱処理により酸素を放出する絶縁体基板と、該絶縁体基板上に設けられた酸化物半導体膜と、を有し、該酸化物半導体膜にチャネルが形成されるトランジスタを有する半導体装置である。加熱処理により酸素を放出する絶縁体基板は、絶縁体基板の少なくとも酸化物半導体膜が設けられる側に、酸素イオン注入を行うことで作製することができる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

昇温脱離ガス分光法により質量電荷比32が検出される絶縁体基板と、前記絶縁体基板上に設けられた酸化物半導体膜と、前記酸化物半導体膜と少なくとも一部が接して設けられた一対の電極と、前記酸化物半導体膜および前記一対の電極を覆って設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を介して前記酸化物半導体膜と重畳して設けられたゲート電極と、を有し、前記質量電荷比32で検出されるガスの放出量は、酸素原子に換算すると3.0×10-14atoms/cm2以上であることを特徴とする半導体装置。

IPC (9)：

H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 21/824 , H01L 27/115 , H01L 27/105 , H01L 27/108 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , G02F 1/136

FI (7)：

H01L29/78 626C , H01L29/78 618B , H01L27/10 434 , H01L27/10 441 , H01L27/10 671C , H01L29/78 371 , G02F1/1368

F-Term (116)：

2H092GA59 , 2H092JA25 , 2H092JA32 , 2H092JA35 , 2H092JA38 , 2H092JB67 , 2H092JB79 , 2H092KA08 , 2H092MA04 , 2H092MA05 , 2H092MA08 , 2H092MA25 , 2H092MA41 , 2H092NA22 , 2H092NA24 , 2H092PA01 , 5F083AD02 , 5F083EP02 , 5F083EP30 , 5F083ER01 , 5F083GA06 , 5F083HA02 , 5F083JA60 , 5F101BA01 , 5F101BB02 , 5F101BC20 , 5F101BD02 , 5F101BD30 , 5F110AA01 , 5F110AA08 , 5F110AA14 , 5F110BB02 , 5F110BB03 , 5F110BB06 , 5F110BB07 , 5F110BB10 , 5F110BB12 , 5F110CC01 , 5F110CC02 , 5F110CC06 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD06 , 5F110DD07 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110DD21 , 5F110DD25 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE11 , 5F110EE14 , 5F110EE32 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF05 , 5F110FF06 , 5F110FF09 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG07 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG16 , 5F110GG17 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG32 , 5F110GG34 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG57 , 5F110HJ01 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ18 , 5F110HJ23 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK17 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK35 , 5F110HM14 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN72 , 5F110QQ06 , 5F110QQ11 , 5F110QQ19

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

薄膜デバイス及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-217272 Applicant：日本電気株式会社, NEC液晶テクノロジー株式会社
薄膜トランジスタ、表示装置、および電子機器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2009-122756 Applicant：ソニー株式会社
薄膜トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-255737 Applicant：カシオ計算機株式会社

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