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J-GLOBAL ID：200903078465558169

薄膜トランジスタ

Inventor： 平尾 孝 ,  古田 守 ,  古田 寛 ,  松田 時宜
Applicant, Patent owner： カシオ計算機株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005255737
Publication number (International publication number)：2007073563
Application date： Sep. 02, 2005
Publication date： Mar. 22, 2007
Summary：

【課題】 酸化亜鉛ZnOを主成分とする酸化物を半導体薄膜層として用いるトップゲート構造のTFTにおいて、半導体薄膜層の少なくとも表面に酸素を構成元素に含む化合物あるいは酸素をドーピングされた化合物による被覆を行うことにより、ZnO成分の還元あるいは脱離を抑制し、半導体薄膜層の低抵抗化によるソース・ドレイン間の短絡やリーク電流の発生を抑制し得る薄膜トランジスタの提供。【解決手段】 酸化亜鉛ZnOを主成分とする酸化物を半導体薄膜層として用いるトップゲート型薄膜トランジスタにおいて、前記半導体薄膜層全表面を被覆するゲート絶縁膜が形成されている構造を有し、前記ゲート絶縁膜の少なくとも前記半導体薄膜層の表面に接する領域は、酸素を構成元素に含む絶縁膜あるいは酸素をドーピングされた絶縁膜により形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

酸化亜鉛ZnOを主成分とする酸化物を半導体薄膜層として用いるトップゲート型薄膜トランジスタにおいて、前記半導体薄膜層全表面を被覆するゲート絶縁膜が形成されている構造を有し、前記ゲート絶縁膜の少なくとも前記半導体薄膜層の表面に接する領域は、酸素を構成元素に含む絶縁膜あるいは酸素をドーピングされた絶縁膜により形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417

FI (5)：

H01L29/78 617T ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617U ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/50 M

F-Term (53)：

4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB03 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB21 ,  4M104BB26 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F110AA01 ,  5F110AA06 ,  5F110AA07 ,  5F110BB01 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110EE04 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG25 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK33 ,  5F110HL04 ,  5F110HL23 ,  5F110HM02 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

• 半導体装置およびその製造方法ならびに電子デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-079273   Applicant：シャープ株式会社, 大野英男, 川崎雅司
• トランジスタの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-146907   Applicant：シャープ株式会社, 川崎雅司, 大野英男
• 薄膜トランジスタ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-096983   Applicant：シャープ株式会社
• 電磁波遮蔽体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-333696   Applicant：日本板硝子株式会社
• 半導体装置およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-303527   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-110059   Applicant：シャープ株式会社, 川崎雅司, 大野英男

Cited by examiner (4)

• 電磁波遮蔽体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-333696   Applicant：日本板硝子株式会社
• 半導体装置およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-303527   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-110059   Applicant：シャープ株式会社, 川崎雅司, 大野英男
• 半導体装置およびその製造方法ならびに電子デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-079273   Applicant：シャープ株式会社, 大野英男, 川崎雅司