酸化亜鉛系トランジスタ

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：溝上哲也 , 岩原義則 , 山本進
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2005055823
Publication number (International publication number)：2006245105
Patent number：4851103
Application date： Mar. 01, 2005
Publication date： Sep. 14, 2006
Claim (excerpt)：

【請求項1】基板上に酸化亜鉛系チャネル層、ゲート絶縁膜層、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極を形成した酸化亜鉛系トランジスタにおいて、前記基板とチャネル層間に形成するバッファ層を、マグネシウム組成が10原子%以上の高抵抗の酸化マグネシウム亜鉛で形成すると共に、前記チャネル層を、酸化亜鉛、あるいは、前記バッファ層よりマグネシウム組成の含有量が小さい酸化マグネシウム亜鉛で形成することを特徴とする酸化亜鉛系トランジスタ。

IPC (1)：

H01L 29/786 ( 200 6.01)

FI (3)：

H01L 29/78 618 B , H01L 29/78 626 C , H01L 29/78 617 T

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体装置およびそれを用いる表示装置
Gazette classification：再公表公報 Application number：JP2003003709 Applicant：川崎雅司, 大野英男, シャープ株式会社
半導体発光素子、およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-041888 Applicant：株式会社村田製作所
ZnO系半導体素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-087668 Applicant：信越半導体株式会社

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