周期表第13族金属窒化物半導体結晶の製造方法および周期表第13族金属窒化物半導体結晶の製造装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：特許業務法人特許事務所サイクス
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2013061526
Publication number (International publication number)：2013227201
Application date： Mar. 25, 2013
Publication date： Nov. 07, 2013
Summary：

【課題】表面の荒れが抑えられた周期表第13族金属窒化物結晶を効率良く成長させることができる方法を提供する。【解決手段】周期表第13族金属元素を含む液体または固体材料と反応性ガスを接触させて周期表第13族金属元素を含むガスを発生させ、発生したガスを用いて下地基板上に周期表第13族金属窒化物半導体結晶を成長させる際に、反応性ガスと接触可能な液体または固体材料の表面積Sを45cm2以上とするか、Sと反応性ガスの単位時間あたりの流量Fc(単位:cm3/s)の比(S/Fc)を13以上とするか、液体または固体材料の表面上を通過する反応性ガスの流路長Lpとガス流路用空間の高さLhの比(Lp/Lh)を6以上にする。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

周期表第13族金属元素を含む液体または固体材料と反応性ガスを接触させて周期表第13族金属元素を含むガスを発生させ、発生したガスを用いて下地基板上に周期表第13族金属窒化物半導体結晶を成長させる、周期表第13族金属窒化物半導体結晶の製造方法であって、前記反応性ガスと接触可能な前記液体または固体材料の表面積Sを45cm2以上とすることを特徴とする周期表第13族金属窒化物半導体結晶の製造方法。

IPC (4)：

C30B 29/38 , C30B 25/14 , H01L 21/205 , C23C 16/448

FI (4)：

C30B29/38 D , C30B25/14 , H01L21/205 , C23C16/448

F-Term (85)：

4G077AA02 , 4G077BE15 , 4G077DB05 , 4G077DB11 , 4G077EA01 , 4G077EC01 , 4G077ED06 , 4G077EG22 , 4G077EG25 , 4G077HA02 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 4G077TA01 , 4G077TA04 , 4G077TA07 , 4G077TA11 , 4G077TB04 , 4G077TC01 , 4G077TC07 , 4G077TG06 , 4G077TH02 , 4G077TH06 , 4G077TJ03 , 4G077TK01 , 4K030AA03 , 4K030AA13 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030BA38 , 4K030BA55 , 4K030BB02 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030EA01 , 4K030FA10 , 4K030GA02 , 4K030JA02 , 4K030JA03 , 4K030JA05 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 4K030JA20 , 4K030KA04 , 4K030KA25 , 4K030KA45 , 4K030KA46 , 4K030LA14 , 4K030LA15 , 4K030LA18 , 5F045AA02 , 5F045AA03 , 5F045AA06 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AC01 , 5F045AC03 , 5F045AC05 , 5F045AC12 , 5F045AC13 , 5F045AC15 , 5F045AC18 , 5F045AC19 , 5F045AD12 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AD16 , 5F045AE23 , 5F045AE25 , 5F045AE29 , 5F045AE30 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045BB01 , 5F045BB09 , 5F045CA09 , 5F045CA10 , 5F045CA11 , 5F045CA12 , 5F045DP03 , 5F045EK06 , 5F045GH08 , 5F045GH09 , 5F045GH10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

窒化ガリウム系化合物半導体気相成長装置及び窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2008-010733 Applicant：京セラ株式会社
窒化物系半導体基板及びその製造方法並びに窒化物系半導体発光デバイス用エピタキシャル基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-117856 Applicant：日立電線株式会社
窒化物の気相成長装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-145187 Applicant：古河機械金属株式会社

Show all

Return to Previous Page