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J-GLOBAL ID：200903094890390331

窒化物系半導体基板及びその製造方法並びに窒化物系半導体発光デバイス用エピタキシャル基板

Inventor：
大島 祐一

About 大島 祐一


Applicant, Patent owner：
日立電線株式会社

About 日立電線株式会社


Agent (7)： 平田 忠雄 ,  角田 賢二 ,  岡本 芳明 ,  岩永 勇二 ,  中村 恵子 ,  遠藤 和光 ,  野見山 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006117856
Publication number (International publication number)：2007294518
Application date： Apr. 21, 2006
Publication date： Nov. 08, 2007
Summary：
【課題】3元以上の混晶組成を有する窒化物系化合物半導体を用いても、エピ特性の面内均一性を維持でき、デバイスの高い歩留まりと高信頼性を確保できる窒化物系半導体基板及びその製造方法、並びにその窒化物系半導体基板を用いた窒化物系半導体発光デバイス用エピタキシャル基板を提供する。【解決手段】 直径が25mm以上の異種基板上に3元以上の混晶組成を有する窒化物系半導体結晶を2mm以下の厚さにエピタキシャル成長後、異種基板を取り除くことによって厚さ方向の熱抵抗値が0.02Kcm2/W以上0.5Kcm2/W以下である窒化物系半導体基板を得る。この窒化物系半導体基板上に窒化物系半導体からなる発光層をエピタキシャル成長させて窒化物系半導体発光デバイス用エピタキシャル基板とする。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
直径が25mm以上で、3元以上の混晶組成を有する窒化物系半導体結晶からなる基板であって、厚さ方向の熱抵抗値が0.02Kcm2/W以上0.5Kcm2/W以下であることを特徴とする窒化物系半導体基板。
IPC (3)：
H01L 33/00 ,  C30B 29/38 ,  C23C 16/01
FI (3)：
H01L33/00 C ,  C30B29/38 D ,  C23C16/01
F-Term (40)：
4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB03 ,  4G077BE11 ,  4G077DB04 ,  4G077ED04 ,  4G077EE06 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077TB02 ,  4G077TC14 ,  4G077TC16 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04 ,  4G077TK08 ,  4G077TK11 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB13 ,  4K030CA05 ,  4K030DA02 ,  4K030DA08 ,  4K030FA10 ,  4K030GA07 ,  4K030HA01 ,  4K030JA01 ,  4K030LA14 ,  5F041AA41 ,  5F041AA43 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA22 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 特開平4-297023号公報
Cited by examiner (8)
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