窒化物半導体製造装置、窒化物半導体の製造方法および窒化物半導体結晶

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：特許業務法人特許事務所サイクス
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011045056
Publication number (International publication number)：2011201766
Application date： Mar. 02, 2011
Publication date： Oct. 13, 2011
Summary：

【課題】ハイドライド気相成長法による窒化物半導体の製造において、繰り返して使用しても白濁しにくくて、得られる窒化物半導体のSiキャリア濃度も安定している石英製の窒化物半導体製造装置を提供する。【解決手段】窒化物半導体を製造する際に装置内に導入する材料またはこれらの材料の混合物の少なくとも一方が接触する面の、一部または全部が合成石英ガラスで構成されていることを特徴とする窒化物半導体製造装置であって、たとえば、前記材料のうち、窒化物半導体の原料となる材料や、反応することによって窒化物半導体の原料を生成しうる反応性物質と接触する面の一部または全部に合成石英ガラスを使用することが好ましく、GaClなどのIII族ハロゲン化物やHClと接触する面に合成石英ガラスを使用することがより好ましい。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

窒化物半導体を製造する際に装置内に導入する材料および前記材料の混合物の少なくとも一方が接触する面の、一部または全部が合成石英ガラスで構成されていることを特徴とする窒化物半導体製造装置。

IPC (5)：

C30B 29/38 , H01L 21/205 , C30B 25/08 , C23C 16/44 , C23C 16/34

FI (5)：

C30B29/38 D , H01L21/205 , C30B25/08 , C23C16/44 B , C23C16/34

F-Term (33)：

4G077AA03 , 4G077BE15 , 4G077DB05 , 4G077EB01 , 4G077EB06 , 4G077EG23 , 4G077EG25 , 4G077HA02 , 4G077HA12 , 4G077TA04 , 4G077TA11 , 4G077TB03 , 4G077TD01 , 4K030AA03 , 4K030AA13 , 4K030BA08 , 4K030BA38 , 4K030EA01 , 4K030FA10 , 4K030JA10 , 4K030KA46 , 4K030KA49 , 4K030LA14 , 5F045AA03 , 5F045AB14 , 5F045AC03 , 5F045AC12 , 5F045AC13 , 5F045DP03 , 5F045EB03 , 5F045EC05 , 5F045EC08 , 5F045EM09

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (9)

特開昭61-230326
特開平4-170398
窒化物半導体単結晶基板とその合成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2009-001808 Applicant：住友電気工業株式会社

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Cited by examiner (9)

特開平4-170398
特開昭61-230326
窒化物半導体単結晶基板とその合成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2009-001808 Applicant：住友電気工業株式会社

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