半導体基板の評価方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：好宮幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011279207
Publication number (International publication number)：2013131591
Application date： Dec. 21, 2011
Publication date： Jul. 04, 2013
Summary：

【課題】半導体基板の中で局在する欠陥位置を効率良く特定して評価することが可能な半導体基板の評価方法を提供する。【解決手段】半導体基板の評価方法であって、半導体基板表面にPN接合を形成し、該PN接合におけるリーク電流を測定し、該リーク電流の測定結果に基づいて欠陥が存在すると予想されるセルを選定し、該選定したセルに電子線を照射して走査し、検出された発光の波長ごとに発光強度の分布を作成し、該作成した発光強度の分布に基づいてセル内に存在する欠陥の面内位置を特定し、該欠陥について評価を行う半導体基板の評価方法。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

半導体基板の評価方法であって、半導体基板表面にPN接合を形成し、該PN接合におけるリーク電流を測定し、該リーク電流の測定結果に基づいて欠陥が存在すると予想されるセルを選定し、該選定したセルに電子線を照射して走査し、検出された発光の波長ごとに発光強度の分布を作成し、該作成した発光強度の分布に基づいてセル内に存在する欠陥の面内位置を特定し、該欠陥について評価を行うことを特徴とする半導体基板の評価方法。

IPC (1)：

H01L 21/66

FI (2)：

H01L21/66 N , H01L21/66 Y

F-Term (12)：

4M106AA01 , 4M106AA07 , 4M106AA10 , 4M106AB11 , 4M106BA02 , 4M106BA14 , 4M106CA01 , 4M106CA18 , 4M106CB19 , 4M106DH12 , 4M106DH16 , 4M106DJ38

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

シリコン基板の評価方法及び半導体デバイスの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2009-141232 Applicant：信越半導体株式会社
半導体基板の評価方法及び半導体デバイスの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2009-255788 Applicant：信越半導体株式会社
半導体結晶欠陥検査方法、半導体結晶欠陥検査装置、及びその半導体結晶欠陥検査装置を用いた半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-251719 Applicant：沖電気工業株式会社, 宮城沖電気株式会社, 株式会社東レリサーチセンター

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