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J-GLOBAL ID：201402236638703942   Reference number：14A0509153

Oxidation characteristics of silicon exposed to O(¹D₂) and O(³P₂) radicals and stress-relaxation oxidation model for O(¹D₂) radicals

O(¹D₂)と,O(³P₂)ラジカルに曝したシリコンの酸化特性とO(¹D₂)ラジカルの応力-緩和酸化モデル

Author (4)： KABE Yoshiro (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  KABE Yoshiro (Tokyo Electron Yamanashi Ltd., Yamanashi, JPN) ,  HASUNUMA Ryu (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  YAMABE Kikuo (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 53  Issue： 3  Page： 031501.1-031501.9  Publication year： Mar. 2014 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon ,  *oxidation ,  oxygen ,  *radical ,  relaxation phenomenon ,  degradation(alteration) ,  thin film ,  lifetime ,  interface(surface) ,  model

JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Reference (74)：

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• R. Zhang, T. Iwasaki, N. Taoka, M. Takenaka, and S. Takagi, Appl. Phys. Lett. 98, 112902 (2011).

Terms in the title (6)： ラジカル ,  シリコン ,  酸化 ,  応力 ,  緩和 ,  モデル