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J-GLOBAL ID：201402286363493273   Reference number：14A0425912

Etching-limiting process and origin of loading effects in silicon etching with hydrogen chloride gas

塩化水素ガスによる珪素エッチングにおける負荷効果の起源とエッチング制限過程

Author (3)： MORIOKA Naoya (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  SUDA Jun (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KIMOTO Tsunenobu (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 53  Issue： 1  Page： 016502.1-016502.7  Publication year： Jan. 2014 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： hydrogen chloride ,  *etching ,  *machining speed ,  electron microscopy ,  Hydrogen ,  concentration dependence ,  morphology ,  surface structure ,  depth profile ,  effect ,  *silicon ,  pressure effect ,  surface morphology ,  structure
Semi thesaurus term： *etch rate ,  pressure dependence ,  gas diffusion ,  負荷効果

JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Reference (22)：

• V. Destefanis, J. M. Hartmann, S. Borel, and D. Bensahel, Semicond. Sci. Technol. 23, 105019 (2008).
• A. Y. Hikavyy, R. Rooyackers, P. Verheyen, F. Leys, G. Vellianitis, M. J. Van Dal, R. Lander, and R. Loo, ECS Trans. 13, 329 (2008).
• R. Loo, M. Caymax, P. Meunier-Beillard, I. Peytier, F. Holsteyns, S. Kubicek, P. Verheyen, R. Lindsay, and O. Richard, Appl. Surf. Sci. 224, 63 (2004).
• C. Isheden, H. H. Radamson, E. Suvar, P.-E. Hellström, and M. Östling, J. Electrochem. Soc. 151, C365 (2004).
• T. Ueno, H. S. Rhee, S. H. Lee, H. Lee, D. S. Shin, Y. Jin, S. Maeda, and N. Lee, Symp. VLSI Technol. Dig. Tech. Pap., 2005, p. 24.

Terms in the title (6)： 塩化水素ガス ,  珪素 ,  エッチング ,  起源 ,  制限 ,  過程