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J-GLOBAL ID：201403013551487490

低コスト非破壊のグラフェン転写方法

Inventor：
任 文才

About 任 文才

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高 力波

About 高 力波

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馬 来鵬

About 馬 来鵬

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成 会明

About 成 会明


Applicant, Patent owner：
中国科学院金属研究所

About 中国科学院金属研究所


Agent (1)： 新保 斉
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2014513048
Publication number (International publication number)：2014519469
Application date： Jun. 08, 2012
Publication date： Aug. 14, 2014
Summary：
グラフェンの転写技術に関し、低コスト非破壊でグラフェンを転写する方法である。転写媒体を被覆したグラフェン及び第1基板を採用して電極とし、これを電解液中に設置し、電解過程においてグラフェンの電極表面に産生される気泡の推進力及びガスのインターカレーション作用を利用して、グラフェン及び第1基板を非破壊で分離する。その後、転写媒体を被覆したグラフェンをターゲット基板の表面に非破壊で結合させ、転写媒体を除去し、グラフェンをターゲット基板に非破壊で転写する。その転写方法は、グラフェン及びその第1基板のいずれに対しても、いかなる破壊及び損失もなく、基板は繰り返し使用することができ、なおかつ操作が簡単で、速度が速く、コントロールしやすく、汚染がない。さらに、量産化及び拡大が見込まれるため、低コストで高品質グラフェンを転写する理想的な方法として、透明導電材料、電子機器材料及びセンサー材料などの分野におけるグラフェンの幅広い応用に対して、基礎を固めることができる。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
低コスト、非破壊でグラフェンを転写する方法であって、 転写媒体を被覆したグラフェン及び第1基板を電極とし、グラフェンが第1基板の表面を任意で被覆し、これを電解液中に設置し、電解過程においてグラフェンの電極表面に産生される気泡の推進力及びガスのインターカレーション作用を利用し、グラフェン及び第1基板を非破壊で分離し、その後、転写媒体を被覆したグラフェンをターゲット基板の表面に結合させ、転写媒体を除去し、グラフェンをターゲット基板に非破壊で転写し、その転写方法が、実施過程においてグラフェン及びその第1基板のいずれに対しても、いかなる破壊及び損失もなく、第1基板は繰り返し使用することができ、 (1)転写媒体層の塗布:グラフェンを表面に成長させた第1基板か、またはグラフェンを載せた第1基板に転写媒体を1層塗布して、グラフェンが以降の処理で破損するのを防止する工程と、 (2)転写媒体/グラフェン複合層及び第1基板の分離:転写媒体を被覆したグラフェン及び第1基板を電極として電解溶液中に設置し、電解法により、その表面にガスが産生され、気泡の推進力及びそのインターカレーション作用を利用し、グラフェン及び第1基板を非破壊で分離する工程と、 (3)転写媒体/グラフェン複合層及びターゲット基板の結合:直接接触する方法により、転写媒体/グラフェン複合層をターゲット基板の表面に移す工程と、 (4)転写媒体の除去:溶媒による溶解または加熱方法により、グラフェンの表面を被覆した転写媒体を除去する工程と、を有する ことを特徴とする低コスト非破壊でグラフェンを転写する方法。
IPC (2)：
C01B 31/02 ,  C23C 26/00
FI (2)：
C01B31/02 101Z ,  C23C26/00 Z
F-Term (19)：
4G146AA01 ,  4G146AB07 ,  4G146AD22 ,  4G146AD28 ,  4G146BC09 ,  4G146BC42 ,  4G146BC43 ,  4G146CB17 ,  4G146CB19 ,  4G146CB23 ,  4G146CB26 ,  4G146CB29 ,  4G146CB32 ,  4G146CB35 ,  4G146CB40 ,  4K044AA13 ,  4K044BA18 ,  4K044BC09 ,  4K044CA17
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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