超伝導体の微細パターンの作製方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (3)：特許業務法人谷・阿部特許事務所 , 谷義一 , 濱中淳宏
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2009136211
Publication number (International publication number)：2010283206
Patent number：5363201
Application date： Jun. 05, 2009
Publication date： Dec. 16, 2010
Claim (excerpt)：

【請求項1】基板の上にホウ化マグネシウム超伝導体の微細パターンを作製する方法であって、基板の上に、炭素および第2の材料を順に積層した微細パターンを形成するステップと、前記基板と前記炭素および第2の材料を順に積層した微細パターンの上に、ホウ化マグネシウム超伝導体を基板温度200°C以上900°C以下にした状態で形成するステップと、前記炭素および第2の材料を順に積層した微細パターンをリフトオフして、前記ホウ化マグネシウム超伝導体の微細パターンを前記基板上に残すステップとを含み、前記第2の材料は、珪素、チタン、ニッケル、アルミニウム、酸化アルミニウム、および酸化ケイ素のうちのいずれかであることを特徴とする方法。

IPC (8)：

H01L 39/24 ( 200 6.01) , H01L 21/027 ( 200 6.01) , H01L 21/28 ( 200 6.01) , H01L 21/3205 ( 200 6.01) , H01L 21/768 ( 200 6.01) , H01L 23/532 ( 200 6.01) , H01B 13/00 ( 200 6.01) , H01B 12/06 ( 200 6.01)

FI (8)：

H01L 39/24 ZAA F , H01L 21/30 541 P , H01L 21/30 570 , H01L 21/28 E , H01L 21/88 H , H01L 21/88 M , H01B 13/00 565 Z , H01B 12/06

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

無機材料膜のパターン形成方法及び構造物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-211779 Applicant：富士フイルム株式会社
ミリ波地表撮像装置
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2002-585902 Applicant：キネティックリミテッド
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-171432 Applicant：ローム株式会社

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Cited by examiner (5)

無機材料膜のパターン形成方法及び構造物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-211779 Applicant：富士フイルム株式会社
ミリ波地表撮像装置
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2002-585902 Applicant：キネティックリミテッド
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-171432 Applicant：ローム株式会社

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