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J-GLOBAL ID：201403029645264669

ダイヤモンド電子素子及びその製造方法

Inventor： 梅澤 仁 ,  加藤 有香子 ,  永瀬 成範 ,  鹿田 真一
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2010230124
Publication number (International publication number)：2012084703
Patent number：5540296
Application date： Oct. 13, 2010
Publication date： Apr. 26, 2012
Claim (excerpt)：

【請求項1】p-ダイヤモンド層からなるドリフト層と、半絶縁性ダイヤモンド層を有する構造保持材と、p+ダイヤモンド層からなるコンタクト層とを備えるダイヤモンド電子素子であって、 前記構造保持材は、開口部を有し、前記ドリフト層の一方の面にエピタキシャル成長により積層されており、 前記コンタクト層は、前記開口部内において、前記ドリフト層上に直接エピタキシャル成長により積層されており、 前記ドリフト層中の欠陥密度が103個/cm2以下であることを特徴とするダイヤモンド電子素子。

IPC (10)：

H01L 29/872 ( 200 6.01) ,  H01L 29/47 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 29/868 ( 200 6.01) ,  H01L 29/861 ( 200 6.01) ,  H01L 29/16 ( 200 6.01) ,  H01L 21/28 ( 200 6.01) ,  H01L 21/329 ( 200 6.01) ,  H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  H01L 21/3065 ( 200 6.01)

FI (10)：

H01L 29/48 D ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 618 F ,  H01L 29/91 F ,  H01L 29/16 ,  H01L 21/28 301 B ,  H01L 29/48 F ,  H01L 29/48 P ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 101 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• ダイヤモンドショットキダイオード並びにこれを利用したガスセンサ及び化学物質センサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-216267   Applicant：株式会社神戸製鋼所
• ダイヤモンド半導体及びダイヤモンド半導体デバイス並びにそれらの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-123370   Applicant：学校法人東海大学
• ダイヤモンド電子素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-041823   Applicant：住友電気工業株式会社, 独立行政法人産業技術総合研究所
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-322856   Applicant：株式会社東芝
• 高出力ダイヤモンド半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-217414   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所