ダイヤモンド電子素子

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (4)：長谷川芳樹 , 寺崎史朗 , 黒木義樹 , 近藤伊知良
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008041823
Publication number (International publication number)：2009200343
Application date： Feb. 22, 2008
Publication date： Sep. 03, 2009
Summary：

【課題】低抵抗値であり高剛性のダイヤモンド電子素子を提供する。【解決手段】第1の表面M1と第1の表面M1の反対側にある第2の表面M2とを有し、第1の表面M1から第2の表面M2に貫通する一または複数のコンタクトホール12の形成されたダイヤモンド基板2と、ダイヤモンド基板2の第1の表面M1上に設けられ、ダイヤモンドを含むp型のバルク層8またはバルク層20と、バルク層8またはバルク層20上に設けられ、ダイヤモンドを含むドリフト層10と、ドリフト層10上に設けられたショットキー電極16と、コンタクトホール12内に設けられ、バルク層8またはバルク層20に接続されたオーミック電極14とを備える。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第1の表面と該第1の表面の反対側にある第2の表面とを有し、前記第1の表面から前記第2の表面に貫通する一または複数のコンタクトホールの形成されたダイヤモンド基板と、前記ダイヤモンド基板の前記第1の表面上に設けられ、ダイヤモンドを含む所定導電型のバルク層と、前記バルク層上に設けられ、ダイヤモンドを含むドリフト層と、前記ドリフト層上に設けられたショットキー電極と、前記コンタクトホール内に設けられ、前記バルク層に接続されたオーミック電極とを備える、ことを特徴とするダイヤモンド電子素子。

IPC (2)：

H01L 29/47 , H01L 29/872

FI (2)：

H01L29/48 F , H01L29/48 D

F-Term (21)：

4K030AA10 , 4K030AA17 , 4K030BA27 , 4K030BB12 , 4K030CA04 , 4K030DA02 , 4K030FA01 , 4K030LA11 , 4M104AA10 , 4M104BB04 , 4M104BB06 , 4M104BB09 , 4M104BB15 , 4M104BB16 , 4M104CC03 , 4M104DD07 , 4M104DD15 , 4M104FF02 , 4M104FF27 , 4M104FF31 , 4M104GG03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

高濃度不純物ダイヤモンド薄膜及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-008118 Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
背面に接触子のある素子およびその素子の製造方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-552719 Applicant：ゲーエフデー-ゲゼルシャフトフュアディアマントプロドゥクテエムベーハー
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-344338 Applicant：株式会社東芝

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