3-5族窒化物半導体積層基板、3-5族窒化物半導体自立基板の製造方法、及び半導体素子

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：高野昌俊
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005256022
Publication number (International publication number)：2006347863
Application date： Sep. 05, 2005
Publication date： Dec. 28, 2006
Summary：

【課題】工程を簡素化すると共に発光特性を改善する。【解決手段】下地基板11上にマスク13を用いて選択成長により形成された3-5族窒化物半導体結晶14を備えて成る3-5族窒化物半導体積層基板1において、下地基板11とマスク13との間に3-5族窒化物半導体結晶14より結晶性の低い半導体層12を設ける。この構成を有する3-5族窒化物半導体自立基板の製造は、下地基板11の上に3-5族窒化物半導体結晶14より結晶性の低い半導体層12を形成し、半導体層12上にマスク13を形成してから選択成長によって3-5族窒化物半導体結晶14を形成した後、半導体層12において下地基板11を分離する。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

下地基板上に設けられたマスクを用いて選択成長により形成された3-5族窒化物半導体結晶を備えて成る3-5族窒化物半導体積層基板において、前記下地基板と前記マスクとの間に前記3-5族窒化物半導体結晶より結晶性の低い半導体層を有することを特徴とする3-5族窒化物半導体積層基板。

IPC (3)：

C30B 29/38 , H01L 33/00 , H01S 5/02

FI (3)：

C30B29/38 D , H01L33/00 C , H01S5/02

F-Term (24)：

4G077AA02 , 4G077AA03 , 4G077BE11 , 4G077BE13 , 4G077BE15 , 4G077DB01 , 4G077EE07 , 4G077EF03 , 4G077FJ03 , 4G077HA02 , 4G077HA12 , 4G077TC14 , 4G077TK11 , 5F041AA40 , 5F041AA42 , 5F041CA40 , 5F041CA64 , 5F041CA77 , 5F173AG20 , 5F173AH22 , 5F173AP04 , 5F173AQ02 , 5F173AR82 , 5F173AR94

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

窒化物系半導体発光素子及び窒化物半導体層の成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-022181 Applicant：三洋電機株式会社
3-5族化合物半導体とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-082240 Applicant：住友化学工業株式会社
エピタキシャル層を1つの基板から分離して他の基板に移し替えるための方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-168653 Applicant：アジレント・テクノロジーズ・インク

Cited by examiner (2)

窒化物半導体基板及びそれを用いた窒化物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-373146 Applicant：日亜化学工業株式会社
3-5族化合物半導体とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-082240 Applicant：住友化学工業株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

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