Pat
J-GLOBAL ID：201403032245784761

SiC単結晶の製造方法

Inventor：
加渡 幹尚

About 加渡 幹尚

, 
楠 一彦

About 楠 一彦

, 
亀井 一人

About 亀井 一人


Applicant, Patent owner：
トヨタ自動車株式会社

About トヨタ自動車株式会社

, 
新日鐵住金株式会社

About 新日鐵住金株式会社


Agent (5)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  関根 宣夫 ,  河野上 正晴
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012190547
Publication number (International publication number)：2014047096
Application date： Aug. 30, 2012
Publication date： Mar. 17, 2014
Summary：
【課題】溶液法において、従来よりも成長速度を大幅に向上することができるSiC単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】坩堝内に入れられ、内部から液面に向けて温度低下する温度勾配を有するSi-C溶液に、種結晶基板を接触させてSiC単結晶を結晶成長させる、SiC単結晶の製造方法であって、 Si-C溶液の液面から10mm下までの範囲の温度勾配が42°C/cmよりも大きい、 SiC単結晶の製造方法。【選択図】図9
Claim (excerpt)：
坩堝内に入れられ、内部から液面に向けて温度低下する温度勾配を有するSi-C溶液に、種結晶基板を接触させてSiC単結晶を結晶成長させる、SiC単結晶の製造方法であって、 前記Si-C溶液の液面から10mm下までの範囲の温度勾配が42°C/cmよりも大きい、 SiC単結晶の製造方法。
IPC (2)：
C30B 29/36 ,  C30B 19/10
FI (2)：
C30B29/36 A ,  C30B19/10
F-Term (12)：
4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077CG02 ,  4G077EA01 ,  4G077EG01 ,  4G077EG05 ,  4G077EH07 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077QA04 ,  4G077QA38 ,  4G077QA62
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
Show all
Cited by examiner (4)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM