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J-GLOBAL ID：201403032245784761

SiC単結晶の製造方法

Inventor： 加渡 幹尚 ,  楠 一彦 ,  亀井 一人
Applicant, Patent owner： トヨタ自動車株式会社 ,  新日鐵住金株式会社
Agent (5)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  関根 宣夫 ,  河野上 正晴
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012190547
Publication number (International publication number)：2014047096
Application date： Aug. 30, 2012
Publication date： Mar. 17, 2014
Summary：

【課題】溶液法において、従来よりも成長速度を大幅に向上することができるSiC単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】坩堝内に入れられ、内部から液面に向けて温度低下する温度勾配を有するSi-C溶液に、種結晶基板を接触させてSiC単結晶を結晶成長させる、SiC単結晶の製造方法であって、 Si-C溶液の液面から10mm下までの範囲の温度勾配が42°C/cmよりも大きい、 SiC単結晶の製造方法。【選択図】図9

Claim (excerpt)：

坩堝内に入れられ、内部から液面に向けて温度低下する温度勾配を有するSi-C溶液に、種結晶基板を接触させてSiC単結晶を結晶成長させる、SiC単結晶の製造方法であって、 前記Si-C溶液の液面から10mm下までの範囲の温度勾配が42°C/cmよりも大きい、 SiC単結晶の製造方法。

IPC (2)：

C30B 29/36 ,  C30B 19/10

FI (2)：

C30B29/36 A ,  C30B19/10

F-Term (12)：

4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077CG02 ,  4G077EA01 ,  4G077EG01 ,  4G077EG05 ,  4G077EH07 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077QA04 ,  4G077QA38 ,  4G077QA62

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 炭化珪素単結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-179412   Applicant：トヨタ自動車株式会社
• 炭化珪素単結晶とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-105567   Applicant：住友金属工業株式会社
• p型SiC半導体単結晶の製造方法およびそれにより製造されたp型SiC半導体単結晶
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-018027   Applicant：トヨタ自動車株式会社
• SiC単結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2010-033949   Applicant：トヨタ自動車株式会社