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J-GLOBAL ID：200903005692456987

p型SiC半導体単結晶の製造方法およびそれにより製造されたp型SiC半導体単結晶

Inventor：
関 章憲

About 関 章憲

, 
藤原 靖幸

About 藤原 靖幸


Applicant, Patent owner：
トヨタ自動車株式会社

About トヨタ自動車株式会社


Agent (6)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  亀松 宏 ,  中村 朝幸 ,  永坂 友康
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008018027
Publication number (International publication number)：2009179491
Application date： Jan. 29, 2008
Publication date： Aug. 13, 2009
Summary：
【課題】実用レベルまで比抵抗を低減したp型SiC半導体単結晶の製造方法およびそれにより製造されたp型SiC半導体単結晶を提供する。【解決手段】Si融液にCを溶解させた溶液からSiC単結晶基板上にp型SiC半導体単結晶を成長させる方法において、上記溶液に更にAlおよびNを、Al添加量>N添加量の関係を満たす量で添加した溶液を用いることを特徴とする溶液法によるp型SiC半導体単結晶の製造方法。上記の方法により製造され、不純物として1×1020cm-3のAlおよび2×1018〜7×1018cm-3のNを含有することを特徴とするp型SiC半導体単結晶。【選択図】なし
Claim (excerpt)：
Si融液にCを溶解させた溶液からSiC単結晶基板上にp型SiC半導体単結晶を成長させる方法において、 上記溶液に更にAlおよびNを、Al添加量>N添加量の関係を満たす量で添加した溶液を用いることを特徴とする溶液法によるp型SiC半導体単結晶の製造方法。
IPC (2)：
C30B 29/36 ,  C30B 19/04
FI (2)：
C30B29/36 A ,  C30B19/04
F-Term (15)：
4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077BE08 ,  4G077CG02 ,  4G077CG07 ,  4G077EA06 ,  4G077EB01 ,  4G077EC08 ,  4G077HA05 ,  4G077QA04 ,  4G077QA12 ,  4G077QA27 ,  4G077QA34 ,  4G077QA71
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (3)

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