p型SiC半導体単結晶の製造方法およびそれにより製造されたp型SiC半導体単結晶

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (6)：青木篤 , 石田敬 , 古賀哲次 , 亀松宏 , 中村朝幸 , 永坂友康
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008018027
Publication number (International publication number)：2009179491
Application date： Jan. 29, 2008
Publication date： Aug. 13, 2009
Summary：

【課題】実用レベルまで比抵抗を低減したp型SiC半導体単結晶の製造方法およびそれにより製造されたp型SiC半導体単結晶を提供する。【解決手段】Si融液にCを溶解させた溶液からSiC単結晶基板上にp型SiC半導体単結晶を成長させる方法において、上記溶液に更にAlおよびNを、Al添加量>N添加量の関係を満たす量で添加した溶液を用いることを特徴とする溶液法によるp型SiC半導体単結晶の製造方法。上記の方法により製造され、不純物として1×1020cm-3のAlおよび2×1018〜7×1018cm-3のNを含有することを特徴とするp型SiC半導体単結晶。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

Si融液にCを溶解させた溶液からSiC単結晶基板上にp型SiC半導体単結晶を成長させる方法において、上記溶液に更にAlおよびNを、Al添加量>N添加量の関係を満たす量で添加した溶液を用いることを特徴とする溶液法によるp型SiC半導体単結晶の製造方法。

IPC (2)：

C30B 29/36 , C30B 19/04

FI (2)：

C30B29/36 A , C30B19/04

F-Term (15)：

4G077AA02 , 4G077AA03 , 4G077AB01 , 4G077BE08 , 4G077CG02 , 4G077CG07 , 4G077EA06 , 4G077EB01 , 4G077EC08 , 4G077HA05 , 4G077QA04 , 4G077QA12 , 4G077QA27 , 4G077QA34 , 4G077QA71

Patent cited by the Patent：

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Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-072033 Applicant：株式会社日立製作所
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Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-270363 Applicant：住友金属工業株式会社
SiC単結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-315361 Applicant：トヨタ自動車株式会社

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Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-270363 Applicant：住友金属工業株式会社
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Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-019235 Applicant：シャープ株式会社
炭化ケイ素単結晶及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-158938 Applicant：株式会社ブリヂストン

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

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