Pat
J-GLOBAL ID：201403032351918475

位置測定装置

Inventor：
村上 洋

About 村上 洋


Applicant, Patent owner：
学校法人 中村産業学園

About 学校法人 中村産業学園


Agent (3)： 中前 富士男 ,  来田 義弘 ,  今中 崇之
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2011011171
Publication number (International publication number)：2012154637
Patent number：5500653
Application date： Jan. 21, 2011
Publication date： Aug. 16, 2012
Claim (excerpt)：
【請求項1】支持部材と、該支持部材に上端部が固定され自由状態で垂直配置された光ファイバーと、該光ファイバーの下端部に設けられた探触子と、前記光ファイバーの上下方向中間位置にあって該光ファイバーの測定対象物への接触に伴う撓みを検知する光学振れ検知機構と、前記測定対象物を載せてX軸、Y軸、Z軸方向に該測定対象物を移動させるXYZステージと、前記光学振れ検知機構及び前記XYZステージに連結される制御部とを有する位置測定装置であって、 前記光ファイバーは、該光ファイバーを揺らす振動手段を介して前記支持部材に取付けられ、前記探触子が前記XYZステージに載った前記測定対象物に当接した場合の前記光ファイバーの1)撓み量並びに2)振動振幅変化量及び/又は位相変化量からなる変化量(A)を前記光学振れ検知機構で検知し、前記測定対象物の特定部位の座標を検知し、 前記光学振れ検知機構は、平面視して前記光ファイバーに対して交差する方向からレーザ光を照射する第1、第2のレーザ光照射手段と、前記光ファイバーを中央にして、前記第1、第2のレーザ光照射手段にそれぞれ対向して配置された第1、第2の受光部を備えた第1、第2のレーザ光受光手段とを有し、前記第1、第2の受光部には受光センサとしてそれぞれ2分割型あるいは4分割型光半導体が使用され、 前記振動手段は振動信号を生成するファンクションジェネレータを備え、前記第1、第2のレーザ光受光手段は、前記第1、第2の受光部から出力される検出信号を、前記振動信号を参照信号として検出するロックインアンプを備えており、 前記変化量(A)は、前記第1、第2の受光部の各受光センサで受光したレーザ光の受光量の差から検知されることを特徴とする位置測定装置。
IPC (2)：
G01B 5/00 ( 200 6.01) ,  G01B 5/20 ( 200 6.01)
FI (2)：
G01B 5/00 A ,  G01B 5/20 C
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
Show all
Cited by examiner (6)
Show all
Article cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (1)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM