硫化物半導体微粒子の製造方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：特許業務法人安富国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2013067450
Publication number (International publication number)：2014076940
Application date： Mar. 27, 2013
Publication date： May. 01, 2014
Summary：

【課題】本発明は、分散安定剤等の添加物を使用することなく、粒子表面の残留有機物の量が低く、粒子径が小さく、酸素含有量が少ない硫化物半導体微粒子を、簡便な方法で製造することが可能な硫化物半導体微粒子の製造方法を提供する。また、該硫化物半導体微粒子の製造方法を用いて製造した硫化物半導体微粒子を提供する。【解決手段】平均粒子径が50nm以下の硫化物半導体微粒子を製造する方法であって、バンドギャップが3.0eV以下の硫化物半導体原料と溶媒とを含有する原料液を不活性ガスでガス置換する工程、及び、前記原料液にレーザー光を照射する工程を有する硫化物半導体微粒子の製造方法。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

平均粒子径が50nm以下の硫化物半導体微粒子を製造する方法であって、バンドギャップが3.0eV以下の硫化物半導体原料と溶媒とを含有する原料液を不活性ガスでガス置換する工程、及び、前記原料液にレーザー光を照射する工程を有することを特徴とする硫化物半導体微粒子の製造方法。

IPC (4)：

C01G 30/00 , C01G 15/00 , C01G 29/00 , C01G 19/00

FI (4)：

C01G30/00 , C01G15/00 B , C01G29/00 , C01G19/00 Z

F-Term (5)：

4G048AA07 , 4G048AB03 , 4G048AC08 , 4G048AD04 , 4G048AE05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

パルスレーザ溶発によるナノ粒子溶液の製造
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