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J-GLOBAL ID：201103045096977988

自己支持形金属硫化物系2次元ナノ構造体の負極活物質及びその製造方法

Inventor：
カン ジン グ

About カン ジン グ

, 
キム ドン ワン

About キム ドン ワン

, 
パク ジェ グワン

About パク ジェ グワン


Applicant, Patent owner：
コリア インスティチュート オブ サイエンス アンド テクノロジー

About コリア インスティチュート オブ サイエンス アンド テクノロジー


Agent (1)： 佐藤 隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010288125
Publication number (International publication number)：2011138769
Application date： Dec. 24, 2010
Publication date： Jul. 14, 2011
Summary：
【課題】2次電池に適用可能な高結晶性、高均一性、高純度の自己支持形金属硫化物系2次元ナノ構造体の負極活物質及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明による自己支持形金属硫化物系2次元ナノ構造体の負極活物質は、金属硫化物系物質からなる凝集体が剥離され、金属基板上に金属硫化物系2次元ナノ構造体として直接成長することを特徴とし、自己支持形金属硫化物系2次元ナノ構造体の負極活物質の製造方法は、金属硫化物系物質からなる凝集体を製造するステップと、凝集体をパルスレーザー蒸着用電気炉内のチューブに挿入装着するステップと、チューブ内に金属基板を挿入し、凝集体から離れて位置させるステップと、チューブ内の圧力を0.01〜0.03Torrの真空状態に下げ、電気炉の温度を590〜610°Cに上げるステップと、チューブ内にパルスレーザーを注入して凝集体を剥離するステップと、を含み、金属硫化物系物質を金属基板上に2次元ナノ構造体として直接成長させることを特徴とする。【選択図】図3
Claim (excerpt)：
金属硫化物系物質からなる凝集体が剥離され、金属基板上に金属硫化物系2次元ナノ構造体として直接成長することを特徴とする自己支持形金属硫化物系2次元ナノ構造体の負極活物質。
IPC (3)：
H01M 4/58 ,  H01M 4/66 ,  C23C 14/06
FI (3)：
H01M4/58 101 ,  H01M4/66 A ,  C23C14/06 D
F-Term (33)：
4K029AA02 ,  4K029AA24 ,  4K029BA51 ,  4K029BB08 ,  4K029CA01 ,  4K029DB05 ,  4K029DB08 ,  4K029DB20 ,  4K029EA01 ,  4K029EA02 ,  4K029EA03 ,  4K029EA08 ,  4K029EA09 ,  5H017AA03 ,  5H017BB16 ,  5H017CC01 ,  5H017EE04 ,  5H050AA07 ,  5H050AA08 ,  5H050AA12 ,  5H050AA19 ,  5H050BA15 ,  5H050CB05 ,  5H050DA06 ,  5H050FA18 ,  5H050GA02 ,  5H050GA24 ,  5H050GA27 ,  5H050GA29 ,  5H050HA04 ,  5H050HA07 ,  5H050HA14 ,  5H050HA15
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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