半導体装置およびその作製方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014034495
Publication number (International publication number)：2014195058
Application date： Feb. 25, 2014
Publication date： Oct. 09, 2014
Summary：

【課題】高い電界効果移動度を有するトランジスタなどを提供する。または、電気特性の安定したトランジスタなどを提供する。【解決手段】一部が重なって設けられた、第1の酸化物半導体層と、第2の酸化物半導体層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、を有し、第2の酸化物半導体層は、第1の酸化物半導体層とゲート絶縁膜との間に位置し、ゲート絶縁膜は、第2の酸化物半導体層とゲート電極との間に位置し、第1の酸化物半導体層は、第2の酸化物半導体層よりも、酸素欠損量が少ない半導体装置である。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

一部が重なって設けられた、第1の酸化物半導体層と、第2の酸化物半導体層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、を有し、前記第2の酸化物半導体層は、前記第1の酸化物半導体層と前記ゲート絶縁膜との間に位置し、前記ゲート絶縁膜は、前記第2の酸化物半導体層と前記ゲート電極との間に位置し、前記第1の酸化物半導体層は、前記第2の酸化物半導体層よりも、酸素欠損量が少ないことを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (3)：

H01L29/78 618E , H01L29/78 618B , H01L29/78 618A

F-Term (90)：

5F110AA06 , 5F110BB01 , 5F110BB02 , 5F110BB20 , 5F110CC01 , 5F110CC07 , 5F110CC10 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD06 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110DD25 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE14 , 5F110EE30 , 5F110EE42 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF05 , 5F110FF09 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG06 , 5F110GG07 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG16 , 5F110GG17 , 5F110GG19 , 5F110GG22 , 5F110GG24 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG35 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG58 , 5F110HJ30 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HK42 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL11 , 5F110HL22 , 5F110HL23 , 5F110HL24 , 5F110HL27 , 5F110NN02 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN28 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN40 , 5F110NN44 , 5F110NN62 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110NN74 , 5F110QQ19

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

半導体装置の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2011-255613 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
薄膜電界効果型トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2009-159841 Applicant：富士フイルム株式会社
半導体装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2012-149650 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

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Cited by examiner (7)

半導体装置の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2011-255613 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置及びその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2009-256683 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
薄膜電界効果型トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2009-159841 Applicant：富士フイルム株式会社

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