半導体装置の作製方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011255613
Publication number (International publication number)：2012134467
Application date： Nov. 23, 2011
Publication date： Jul. 12, 2012
Summary：

【課題】酸化物半導体膜をチャネルに用いたトランジスタに安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製する。【解決手段】加熱処理により第1の結晶構造となりうる酸化物半導体膜と、加熱処理により第2の結晶構造となりうる酸化物半導体膜を積層して形成し、その後加熱処理を行うことによって、第2の結晶構造を有する酸化物半導体膜を種として第1の結晶構造を有する酸化物半導体膜へ結晶成長する。このようにして形成した酸化物半導体膜を、トランジスタの活性層に用いる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

絶縁表面上に第1の酸化物半導体膜を形成し、前記第1の酸化物半導体膜上に第2の酸化物半導体膜を形成した後に、加熱処理を行って、前記第1の酸化物半導体膜を第1の結晶構造を有する酸化物半導体膜とし、前記第2の酸化物半導体膜を第2の結晶構造を有する酸化物半導体膜とし、前記第1の結晶構造を有する酸化物半導体膜及び前記第2の結晶構造を有する酸化物半導体膜を選択的にエッチングして酸化物半導体積層体を形成し、前記酸化物半導体積層体上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程を有し、前記第1の結晶構造は非ウルツ鉱構造、YbFe2O4型構造、Yb2Fe3O7型構造及びその変形型構造のいずれか一種から選ばれた結晶構造であり、前記第2の結晶構造はウルツ鉱型の結晶構造であることを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (9)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/20 , H01L 21/363 , H01L 21/368 , G02F 1/136 , H01L 51/50 , C23C 14/08 , C23C 14/34

FI (10)：

H01L29/78 618E , H01L29/78 618B , H01L29/78 627G , H01L21/20 , H01L21/363 , H01L21/368 , G02F1/1368 , H05B33/14 A , C23C14/08 K , C23C14/34 N

F-Term (178)：

2H092GA50 , 2H092GA59 , 2H092JA25 , 2H092JA26 , 2H092JA40 , 2H092JA44 , 2H092KA08 , 2H092KA12 , 2H092KA19 , 2H092KB21 , 2H092MA04 , 2H092MA05 , 2H092MA07 , 2H092MA10 , 2H092MA14 , 2H092MA17 , 2H092NA11 , 2H092NA27 , 2H092QA09 , 3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107BB02 , 3K107CC11 , 3K107CC45 , 3K107EE03 , 3K107EE04 , 4K029AA09 , 4K029AA24 , 4K029BA43 , 4K029BA50 , 4K029BD01 , 4K029CA06 , 4K029DA08 , 4K029DC04 , 4K029DC34 , 4K029GA00 , 4K029GA01 , 5F053AA06 , 5F053DD20 , 5F053FF02 , 5F053GG02 , 5F053HH05 , 5F053LL10 , 5F053PP03 , 5F053RR04 , 5F053RR05 , 5F053RR07 , 5F103AA01 , 5F103AA08 , 5F103DD30 , 5F103GG02 , 5F103LL08 , 5F103LL13 , 5F103NN05 , 5F103PP03 , 5F110AA14 , 5F110AA26 , 5F110AA28 , 5F110BB02 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE30 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF35 , 5F110FF36 , 5F110GG01 , 5F110GG04 , 5F110GG06 , 5F110GG13 , 5F110GG17 , 5F110GG19 , 5F110GG24 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG58 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HL01 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL07 , 5F110HL11 , 5F110HL12 , 5F110HL22 , 5F110HL23 , 5F110HL24 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110NN40 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110PP02 , 5F110PP10 , 5F110PP13 , 5F110PP22 , 5F110PP35 , 5F110PP36 , 5F110QQ02 , 5F110QQ06 , 5F152AA07 , 5F152BB02 , 5F152BB03 , 5F152CC02 , 5F152CC03 , 5F152CC05 , 5F152CC06 , 5F152CC08 , 5F152CD13 , 5F152CD14 , 5F152CD16 , 5F152CD17 , 5F152CD24 , 5F152CE01 , 5F152CE16 , 5F152CE18 , 5F152CE24 , 5F152CG10 , 5F152CG13 , 5F152EE14 , 5F152EE16 , 5F152FF11 , 5F152FF14 , 5F152FF15 , 5F152FF16 , 5F152FF17 , 5F152FF22

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2009-165841 Applicant：三星電子株式会社
多結晶酸化薄膜の酸素最密充填面を用いたZnO薄膜電極構造体及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-339766 Applicant：三星電管株式會社
半導体装置、及び半導体装置の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-284538 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

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Cited by examiner (8)

トランジスタ
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