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J-GLOBAL ID:201403065516698179

太陽電池

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3): 池上 徹真 ,  須藤 章 ,  松山 允之
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2013064969
Publication number (International publication number):2014192257
Application date: Mar. 26, 2013
Publication date: Oct. 06, 2014
Summary:
【目的】 実施形態の太陽電池は、高効率と低コストを両立させたタンデム型太陽電池を提供するものである。【解決手段】 実施形態の太陽電池は、Si層を光吸収層として含む第1の太陽電池セルと、I-III-VI2族化合物層又はI2-II-IV-VI4族化合物層を光吸収層として含む第2の太陽電池セルとを積層してなり、第1と第2の太陽電池セルの間に、n+型Si層と、p+型Si層、金属化合物層及びグラフェン層の中から選ばれる1種以上の中間層を有する(但し、金属化合物層は、MXで表され、MはNb、Mo、Pd、Ta,WとPtの中から選ばれる1種以上の元素であり、XはS、SeとTeの中から選ばれる1種以上の元素)。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
Si層を光吸収層として含む第1の太陽電池セルと、I-III-VI2族化合物層又はI2-II-IV-VI4族化合物層を光吸収層として含む第2の太陽電池セルとを積層してなり、 前記第1と第2の太陽電池セルの間に、n+型Si層と、p+型Si層、金属化合物層及びグラフェン層の中から選ばれる1種以上の中間層を有する太陽電池(但し、前記金属化合物層は、MXで表され、前記MはNb、Mo、Pd、Ta,WとPtの中から選ばれる1種以上の元素であり、前記XはS、SeとTeの中から選ばれる1種以上の元素)。
IPC (1):
H01L 31/06
FI (2):
H01L31/04 W ,  H01L31/04 E
F-Term (8):
5F151AA05 ,  5F151AA10 ,  5F151DA04 ,  5F151DA18 ,  5F151FA02 ,  5F151FA06 ,  5F151FA13 ,  5F151FA15
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
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Article cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
  • Formation of transparent and ohmic ZnO:Al/MoSe2 contacts for bifacial Cu(In,Ga)Se2 solar cells and t

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