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J-GLOBAL ID：201403088775820233

金属酸化物薄膜の製造方法及び製造装置

Inventor： 安井 寛治 ,  西山 洋 ,  築地 正俊 ,  井上 泰宣 ,  高田 雅介
Applicant, Patent owner： 国立大学法人長岡技術科学大学
Agent (1)： 芳村 武彦
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2008132193
Publication number (International publication number)：2009001899
Patent number：5496471
Application date： May. 20, 2008
Publication date： Jan. 08, 2009
Claim (excerpt)：

【請求項1】 減圧可能な反応室に接続した又はその内部に配置した、筒状の触媒容器ジャケット内に触媒反応容器を収納し、反応ガス噴出ノズルにより触媒容器ジャケットを封鎖した触媒反応装置内に、H2ガスとO2ガス、又はH2O2ガスを導入し、微粒子状の触媒と接触させることにより反応熱により加熱されたH2Oガスを生成する工程と、 前記生成されたH2Oガスを前記反応ガス噴出ノズルから噴出させて亜鉛化合物ガスと反応させる工程と、 前記H2Oガスと亜鉛化合物ガスとの反応により生成された酸化物を基板上に堆積させる工程と、 を含むことを特徴とする酸化亜鉛薄膜の製造方法。

IPC (6)：

C23C 16/40 ( 200 6.01) ,  H01L 21/365 ( 200 6.01) ,  B01J 35/02 ( 200 6.01) ,  C01G 9/02 ( 200 6.01) ,  C01G 9/03 ( 200 6.01) ,  B01J 23/42 ( 200 6.01)

FI (7)：

C23C 16/40 ,  H01L 21/365 ,  B01J 35/02 H ,  C01G 9/02 A ,  C01G 9/02 B ,  C01G 9/03 ,  B01J 23/42 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 高誘電率膜の製造方法及び製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-227435   Applicant：株式会社日立製作所
• 軽水の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-164398   Applicant：ペルメレック電極株式会社
• 一酸化炭素選択酸化触媒
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-304021   Applicant：セイミケミカル株式会社
• 特公平6-082625
  
• CECVD装備に用いられるシャワーヘッド
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-169258   Applicant：株式会社ハイニックスセミコンダクター
• 成膜装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-070622   Applicant：株式会社荏原製作所