Pat
J-GLOBAL ID：201403094620326720

PZT系強誘電体薄膜形成用組成物及びその製造方法並びに該組成物を用いたPZT系強誘電体薄膜の形成方法

Inventor：
土井 利浩

About 土井 利浩

, 
桜井 英章

About 桜井 英章

, 
曽山 信幸

About 曽山 信幸


Applicant, Patent owner：
三菱マテリアル株式会社

About 三菱マテリアル株式会社


Agent (1)： 須田 正義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2013066421
Publication number (International publication number)：2014192329
Application date： Mar. 27, 2013
Publication date： Oct. 06, 2014
Summary：
【課題】ゾルゲル法により強誘電体薄膜を形成する際に、クラックを発生させることなく、1回の塗布で形成される薄膜の膜厚をより厚くすることでき、しかも薄膜の生産効率を高めることができるPZT系強誘電体薄膜形成用組成物及びその製造方法並びに該組成物を用いたPZT系強誘電体薄膜の形成方法を提供する。【解決手段】組成物100質量%中のPZT前駆体の割合が酸化物換算で17〜35質量%であり、組成物100質量%中のジオールの割合が16〜56質量%であり、ポリビニルピロリドン又はポリエチレングリコールの割合が上記PZT前駆体1モルに対してモノマー換算で0.01〜0.25モルであり、水の割合が上記PZT前駆体1モルに対して0.5〜3モルであることを特徴とする。但し、上記組成物100質量%中に炭素鎖6以上12以下の直鎖状モノアルコールを0.6〜10質量%の割合で更に含む組成物を除く。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
PZT系強誘電体薄膜を形成するための組成物において、 前記組成物がPZT前駆体と、ジオールと、ポリビニルピロリドン又はポリエチレングリコールと、水とを含み、 前記組成物100質量%中の前記PZT前駆体の割合が酸化物換算で17〜35質量%であり、 前記組成物100質量%中の前記ジオールの割合が16〜56質量%であり、 前記ポリビニルピロリドン又はポリエチレングリコールの割合が前記PZT前駆体1モルに対してモノマー換算で0.01〜0.25モルであり、 前記水の割合が前記PZT前駆体1モルに対して0.5〜3モルである ことを特徴とするPZT系強誘電体薄膜形成用組成物。 但し、前記組成物100質量%中に炭素鎖6以上12以下の直鎖状モノアルコールを0.6〜10質量%の割合で更に含む組成物を除く。
IPC (7)：
H01L 21/316 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 41/047 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/318 ,  H01L 41/187
FI (6)：
H01L21/316 G ,  H01L27/10 444C ,  H01L41/047 ,  H01L41/09 ,  H01L41/318 ,  H01L41/187
F-Term (15)：
5F058BA04 ,  5F058BC03 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BH03 ,  5F058BJ04 ,  5F083FR01 ,  5F083GA27 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
Show all
Cited by examiner (4)
Show all
Article cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (1)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM