ペロブスカイト型酸化物膜の基板表面構造とその基板およびペロブスカイト型酸化物膜

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：千葉博史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001029988
Publication number (International publication number)：2002234709
Application date： Feb. 06, 2001
Publication date： Aug. 23, 2002
Summary：

【要約】【課題】基板表面に成膜するペロブスカイト型酸化物膜に対して優れた密着性を有する基板表面構造とその基板、およびペロブスカイト型酸化物膜を提供する。【解決手段】表面にペロブスカイト型酸化物の金属酸化物が成膜される基板において、ペロブスカイト型酸化物膜に接する電極層、基板の表面酸化層に接する密着層、この密着層と電極層との間に介在するアルミナ層を介在させる。

Claim (excerpt)：

ペロブスカイト型酸化物が成膜される基板において、ペロブスカイト型酸化物膜に接する電極層、基板の表面酸化層に接する密着層、この密着層と電極層との間に介在するアルミナ層を有することを特徴とする基板の表面構造。

IPC (7)：

C01B 13/14 , C01B 13/32 , C01G 25/00 , C04B 35/46 , H01L 21/316 , H01L 27/105 , H01L 41/08

FI (8)：

C01B 13/14 Z , C01B 13/32 , C01G 25/00 , C04B 35/46 C , C04B 35/46 H , H01L 21/316 G , H01L 27/10 444 C , H01L 41/08 D

F-Term (42)：

4G031AA11 , 4G031AA12 , 4G031AA32 , 4G031BA09 , 4G031CA03 , 4G031CA08 , 4G031GA01 , 4G031GA05 , 4G042DA02 , 4G042DB05 , 4G042DB06 , 4G042DB08 , 4G042DB22 , 4G042DC03 , 4G042DD02 , 4G042DD10 , 4G042DE09 , 4G042DE14 , 4G048AA03 , 4G048AB02 , 4G048AC02 , 4G048AD02 , 4G048AE05 , 4G048AE08 , 5F058BA10 , 5F058BA11 , 5F058BC01 , 5F058BF12 , 5F058BF46 , 5F058BH01 , 5F058BJ10 , 5F083FR01 , 5F083GA25 , 5F083JA13 , 5F083JA15 , 5F083JA31 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA43 , 5F083PR23 , 5F083PR33

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

非揮発性メモリ薄膜及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-239920 Applicant：財団法人韓国科学技術研究院
バリアを伴う酸化耐熱性金属を用いた複合イリジウムバリア構造およびその形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-149037 Applicant：シャープ株式会社
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