センサ用磁気抵抗素子、およびセンサ回路

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：特許業務法人ゆうあい特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2013029151
Publication number (International publication number)：2014157985
Application date： Feb. 18, 2013
Publication date： Aug. 28, 2014
Summary：

【課題】地磁気など弱い磁場の検出に適した磁気センサ10を提供する。【解決手段】磁気センサ10において、基板11と、基板11に沿って形成されて磁化方向が基板11の面内方向に固定されているピン層13と、基板11の一面11aに沿って形成されて外部磁場によって磁化方向が追従して変化するフリー層15と、ピン層13とフリー層15との間に挟まれてピン層13の磁化方向とフリー層15の磁化方向との間の角度によって抵抗値が変化する中間層14と、を備え、フリー層の磁化安定化方向がフリー層に対して垂直方向である磁気センサ10であって、フリー層15の面内方向の異方性磁界が50[mT]〜75[mT]である。よって、地磁気など弱い磁場を検出に適したTMR素子を構成することができる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

磁化方向が固定されているピン層(13)と、外部磁場によって磁化方向が追従して変化するフリー層(15)と、前記ピン層と前記フリー層との間に挟まれて前記ピン層の磁化方向と前記フリー層の磁化方向との間の角度によって抵抗値が変化する中間層(14)とが積層され、前記フリー層の磁化安定化方向が前記フリー層に対して垂直方向であり、前記フリー層の面内方向の異方性磁界が所定範囲に設定されていることを特徴とするセンサ用磁気抵抗素子。

IPC (7)：

H01L 43/08 , H01L 43/10 , G01R 33/09 , H01F 10/32 , H01F 10/14 , H01F 10/16 , G11B 5/39

FI (6)：

H01L43/08 M , G01R33/06 R , H01F10/32 , H01F10/14 , H01F10/16 , G11B5/39

F-Term (29)：

2G017AA01 , 2G017AA03 , 2G017AA16 , 2G017AD55 , 5D034BA04 , 5D034BA05 , 5D034BA08 , 5E049AA01 , 5E049AA04 , 5E049AA07 , 5E049AC05 , 5E049BA16 , 5E049CB01 , 5E049CB02 , 5E049DB02 , 5E049DB14 , 5F092AA01 , 5F092AB01 , 5F092AC08 , 5F092AC12 , 5F092AD03 , 5F092AD06 , 5F092AD23 , 5F092BB04 , 5F092BB12 , 5F092BB42 , 5F092BC03 , 5F092BC04 , 5F092BC13

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

記憶素子及び記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2010-142680 Applicant：ソニー株式会社
磁気センサおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2009-175669 Applicant：TDK株式会社
磁気抵抗効果素子、磁界検出器、電流検出器、磁気抵抗効果素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2012-100187 Applicant：三菱電機株式会社

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