Art

J-GLOBAL ID：201502208861089036   Reference number：15A0485743

Controlled Growth of Few-Layer Hexagonal Boron Nitride on Copper Foils Using Ion Beam Sputtering Deposition

イオンビームスパッタリング堆積を利用した銅箔上の少数層六方晶窒化ほう素の成長制御

Author (7)： WANG Haolin (Key Lab of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing, 100083, CHN) ,  ZHANG Xingwang ,  MENG Junhua ,  YIN Zhigang ,  LIU Xin ,  ZHAO Yajuan ,  ZHANG Liuqi
Material： Small
Volume： 11  Issue： 13  Page： 1542-1547  Publication year： Apr. 2015 
JST Material Number： W2348A  ISSN： 1613-6810  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Germany, Federal Republic of (DEU)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *boron nitride ,  growth regulation ,  hexagonal system ,  *ion beam sputtering ,  chemical vapor deposition ,  *copper foil ,  quality ,  mass production ,  precursor (substance) ,  sputtered deposition ,  ion beam ,  *thin film growth ,  semiconductor thin film ,  high quality

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (5)： イオンビームスパッタリング ,  堆積 ,  銅箔 ,  六方晶窒化ほう素 ,  成長制御