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J-GLOBAL ID：201502216082138989   Reference number：15A1103734

Formation of high density Ge-nanodots on SOI substrates-Aiming at enhancement of emission from Ge-nanodots using photonic crystal-

SOI基板上への高密度Geナノドットの形成-フォトニック結晶による発光効率改善を目指して-

Author (8)： MORIOKA MAKOTO (長岡技科大) ,  WATANABE KODAI (長岡技科大) ,  TOMITA MASATAKA (長岡技科大) ,  TOYOTA HIDEYUKI (長岡技科大) ,  KATO ARIYUKI (長岡技科大) ,  TAMAYAMA YASUHIRO (長岡技科大) ,  KAMBAYASHI TOSHIO (長岡技科大) ,  YASUI KANJI (長岡技科大)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 115  Issue： 179(CPM2015 31-45)  Page： 51-55  Publication year： Aug. 03, 2015 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *solid state device ,  *nanostructure ,  *germanium ,  density ,  printed board ,  *photonic crystal ,  efficiency ,  resonance(vibration) ,  radiant intensity ,  MBE growth ,  photoluminescence
Semi thesaurus term： Silicon On Insulator substrate ,  gas-source MBE ,  *nanodot ,  dense ,  emission intensity ,  luminous efficiency ,  *light-emitting device

JST classification (1)： Light emitting devices  (NC03082G)

Reference (18)：

• J. Drucker, "Self-Assembling Ge(Si)/Si(100) Quantum Dots", IEEE J. Quantum Electron., vol.38, pp.975-987 (2002).
• Y. Shiraki, and A. Sakai, "Fabrication technology of SiGe hetero-structures and their properties", Surf. Sci. Rep., vol.59, pp.153-207 (2005).
• H. Sunamura, N. Usami, Y. Shiraki, and S. Fukatsu, "Island formation during growth of Ge on Si(100): A study using photoluminescence spectroscopy", Appl. Phys. Lett., vol.66, pp.3024-3026 (1995).
• O. G. Schmidt, C. Lange, K. Eberl, O. Kienzle, and F. Ernst, "Influence of pre-grown carbon on the formation of germanium dots", Thin Solid Films, vol.321, pp.70-75 (1998).
• V. L. Thanh, P. Boucaud, D. Débarre, Y. Zheng, D. Bouchier, and J.-M. Lourtioz, "Nucleation and growth of self-assembled Ge/Si(001) quantum dots", Phys. Rev. B, vol.58, pp.13115-13120 (1998).

Terms in the title (6)： SOI基板 ,  高密度 ,  Ge ,  ナノドット ,  フォトニック結晶 ,  発光効率