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J-GLOBAL ID：201502217916169573   Reference number：15A1261691

Siドープ酸化ガリウム厚膜のHVPEホモエピタキシャル成長

Author (15)： NOMURA KAZUSHIRO (東京農工大 大学院) ,  GOTO KEN (東京農工大 大学院) ,  GOTO KEN (タムラ製作所) ,  SASAKI KOHEI (タムラ製作所) ,  SASAKI KOHEI (情通機構) ,  THIEU Quang Tu (東京農工大 GIRO) ,  TOGASHI RIE (東京農工大 大学院) ,  MURAKAMI HISASHI (東京農工大 大学院) ,  HIGASHIWAKI MASATAKA (情通機構) ,  KURAMATA AKITO (タムラ製作所) ,  YAMAKOSHI SHIGENOBU (タムラ製作所) ,  BO Monemar (東京農工大 GIRO) ,  BO Monemar (Linkoeping Univ.) ,  KOKITSU AKINORI (東京農工大 大学院) ,  KUMAGAI YOSHINAO (東京農工大 大学院)
Material： 結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM)  (JCCG予稿集(CD-ROM))
Volume： 45th  Page： ROMBUNNO.19PB08  Publication year： Oct. 19, 2015 
JST Material Number： L6730B  ISSN： 2188-7268  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *gallium oxide ,  *thick film ,  *epitaxy ,  compound semiconductor ,  carrier density ,  mobility (ratio) ,  oxide semiconductor
Semi thesaurus term： HVPE(epitaxy) ,  *epitaxial growth

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (7)： Si ,  ドープ ,  酸化ガリウム ,  厚膜 ,  HVPE ,  ホモ ,  エピタキシャル成長