Pat

J-GLOBAL ID：201503003184680729

半導体圧力センサ

Inventor： 新村 雄一 ,  西川 英男 ,  加藤 史仁
Applicant, Patent owner： パナソニックIPマネジメント株式会社
Agent (4)： 伊藤 正和 ,  細川 覚 ,  松本 隆芳 ,  森 太士
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2010279313
Publication number (International publication number)：2012127792
Patent number：5793700
Application date： Dec. 15, 2010
Publication date： Jul. 05, 2012
Claim (excerpt)：

【請求項1】 半導体基板の一部が薄肉化されて受圧部となるダイヤフラム部に形成された複数のn型半導体領域と、前記各n型半導体領域のそれぞれに対応して前記n型半導体領域内に形成されたピエゾ抵抗素子と、絶縁体薄膜層を介して前記各ピエゾ抵抗素子上に形成された導電性のシールド薄膜層とを有し、前記複数のピエゾ抵抗素子がホイートストンブリッジ回路を構成する半導体圧力センサにおいて、 前記n型半導体領域と、前記n型半導体領域に形成された前記ピエゾ抵抗素子上に形成された前記シールド薄膜層とは、コンタクト部によって電気的に接続され、前記コンタクト部は、前記ダイヤフラム部に形成され、 前記ホイートストンブリッジ回路の高位電源に一端が接続された各ピエゾ抵抗素子が形成された各n型半導体領域は、互いに電気的に接続され、前記ホイートストンブリッジ回路の低位電源に一端が接続された各ピエゾ抵抗素子が形成された各n型半導体領域は、互いに電気的に接続されている ことを特徴とする半導体圧力センサ。

IPC (2)：

G01L 9/00 ( 200 6.01) ,  H01L 29/84 ( 200 6.01)

FI (3)：

G01L 9/00 303 Q ,  H01L 29/84 B ,  H01L 29/84 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 圧力センサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-019189   Applicant：山武ハネウエル株式会社
• 圧力センサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-024956   Applicant：三菱電機株式会社
• 歪検出センサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-321793   Applicant：株式会社日立製作所
• 加速度センサー
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-030161   Applicant：トレックス・セミコンダクター株式会社