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J-GLOBAL ID：201503007619358307

ナノギャップ電極及びその製造方法

Inventor： 内藤 泰久 ,  堀川 昌代 ,  王 東方 ,  大畑 達彦
Applicant, Patent owner： 国立研究開発法人産業技術総合研究所 ,  国立大学法人茨城大学
Agent (2)： 小越 勇 ,  小越 一輝
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2011183237
Publication number (International publication number)：2013045913
Patent number：5804415
Application date： Aug. 25, 2011
Publication date： Mar. 04, 2013
Claim (excerpt)：

【請求項1】 絶縁体基板上に金属電極を形成し、この金属電極間にエレクトロマイグレーションを誘発する電圧又は電流を印加しながら、蒸着法によって絶縁体基板上に導電性材料を堆積して、ナノスケールのギャップを有する導電性細線を形成することを特徴とするナノギャップ電極の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/28 ( 200 6.01) ,  B82Y 40/00 ( 201 1.01) ,  B82Y 99/00 ( 201 1.01)

FI (3)：

H01L 21/28 Z ,  B82Y 40/00 ,  B82Y 99/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• ナノギャップ電極の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-073409   Applicant：日本電信電話株式会社
• 不揮発性記憶素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-077212   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 電界放射電流誘起型エレクトロマイグレーションによる単電子トランジスタの集積化