不揮発性記憶素子

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：布施行夫 , 大渕美千栄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007077212
Publication number (International publication number)：2008235816
Application date： Mar. 23, 2007
Publication date： Oct. 02, 2008
Summary：

【課題】構造が極めて単純で、かつ繰り返して書き込み、消去、読み出し動作を安定に行うことのできる、不揮発性記憶素子を提供すること。【解決手段】本発明の不揮発性記憶素子100は、絶縁性基板10と、絶縁性基板10の上に設けられた、第1電極20と、絶縁性基板10の上に設けられた、第2電極30と、第1電極20と第2電極30との間に設けられ、第1電極20と第2電極30との間の距離Gが0nm<G≦50nmである電極間間隙40と、を含む。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

絶縁性基板と、前記絶縁性基板の上に設けられた、第1電極と、前記絶縁性基板の上に設けられた、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に設けられ、前記第1電極と前記第2電極との間の距離Gが、0nm<G≦50nmである電極間間隙と、を含む、不揮発性記憶素子。

IPC (1)：

H01L 27/10

FI (1)：

H01L27/10 451

F-Term (5)：

5F083FZ10 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

ナノギャップ電極の製造方法及び該方法により製造されたナノギャップ電極を有する素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-307669 Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所

Cited by examiner (8)

プログラム可能なサブサーフェス集合メタライゼーション構造およびその作製方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-523669 Applicant：アクソンテクノロジーズコーポレイション, アリゾナボードオブリージェンツ
ナノギャップ電極の製造方法及び該方法により製造されたナノギャップ電極を有する素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-307669 Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
ナノギャップ電極の形成方法及びこれによって得られたナノギャップ電極並びに該電極を備えた素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-315502 Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所

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