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J-GLOBAL ID：200903098082111072
不揮発性記憶素子
Inventor：
,
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：
布施 行夫
, 大渕 美千栄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007077212
Publication number (International publication number)：2008235816
Application date： Mar. 23, 2007
Publication date： Oct. 02, 2008
Summary：
【課題】構造が極めて単純で、かつ繰り返して書き込み、消去、読み出し動作を安定に行うことのできる、不揮発性記憶素子を提供すること。【解決手段】本発明の不揮発性記憶素子100は、絶縁性基板10と、絶縁性基板10の上に設けられた、第1電極20と、絶縁性基板10の上に設けられた、第2電極30と、第1電極20と第2電極30との間に設けられ、第1電極20と第2電極30との間の距離Gが0nm<G≦50nmである電極間間隙40と、を含む。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
絶縁性基板と、
前記絶縁性基板の上に設けられた、第1電極と、
前記絶縁性基板の上に設けられた、第2電極と、
前記第1電極と前記第2電極との間に設けられ、前記第1電極と前記第2電極との間の距離Gが、0nm<G≦50nmである電極間間隙と、
を含む、不揮発性記憶素子。
IPC (1)：
FI (1)：
F-Term (5)：
5F083FZ10
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA38
, 5F083JA39
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