デバイス作製用基板、その製造方法及び近赤外線発光デバイス

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014037437
Publication number (International publication number)：2015162605
Application date： Feb. 27, 2014
Publication date： Sep. 07, 2015
Summary：

【課題】本発明は、格子歪みがなく、平坦な一面を有するデバイス作製用基板、その簡便な製造方法、上記構造を用いた近赤外線発光デバイスを提供することを課題とする。【解決手段】GaAs基板又はGaAs基板11に形成したGaAsバッファ層12の(111)A面12aに格子緩和層13と被格子緩和層14をこの順序で積層したデバイス作製用基板であって、格子緩和層13が膜厚0.7nm以上1.8nm以下のInAs薄膜であり、被格子緩和層14がInM(III)As薄膜(ここで、M(III)がIII族の金属原子である。)であることを特徴とするデバイス作製用基板31を用いることにより、前記課題を解決できる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

GaAs基板又はGaAs基板に形成したGaAsバッファ層の(111)A面に格子緩和層と被格子緩和層をこの順序で積層したデバイス作製用基板であって、前記格子緩和層が膜厚0.7nm以上1.8nm以下のInAs薄膜であり、前記被格子緩和層がInM(III)As薄膜(ここで、M(III)がIII族の金属原子である。)であることを特徴とするデバイス作製用基板。

IPC (5)：

H01L 21/203 , H01L 33/16 , H01L 33/30 , H01L 21/205 , H01L 21/20

FI (5)：

H01L21/203 M , H01L33/00 160 , H01L33/00 184 , H01L21/205 , H01L21/20

F-Term (36)：

5F045AB10 , 5F045AF05 , 5F045BB11 , 5F045CA10 , 5F045DA53 , 5F103AA04 , 5F103DD30 , 5F103GG01 , 5F103HH03 , 5F103LL02 , 5F103PP20 , 5F141AA40 , 5F141CA04 , 5F141CA05 , 5F141CA23 , 5F141CA34 , 5F141CA66 , 5F141FF14 , 5F152LL09 , 5F152LN02 , 5F152LN04 , 5F152MM08 , 5F152MM16 , 5F152NN07 , 5F152NN27 , 5F152NP06 , 5F152NP07 , 5F152NQ05 , 5F152NQ08 , 5F241AA40 , 5F241CA04 , 5F241CA05 , 5F241CA23 , 5F241CA34 , 5F241CA66 , 5F241FF14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

化合物半導体結晶装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-137788 Applicant：富士通株式会社
特開平2-074600
特開平4-045519

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Cited by examiner (7)

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Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-137788 Applicant：富士通株式会社
特開平2-074600
特開平4-045519

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Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

Lattice Relaxation Of InAs Heteroepitaxy on GaAs

Cited by examiner (1)

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