半導体装置の製造方法および半導体装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：酒井宏明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2013175957
Publication number (International publication number)：2015046441
Application date： Aug. 27, 2013
Publication date： Mar. 12, 2015
Summary：

【課題】窒化物系半導体層からの窒素抜けを防止しつつ高温で、安定してかつ効果的に熱処理を行うこと。【解決手段】n-GaN基板11上にn-AlxGa1-xN層12を形成した後、n-AlxGa1-xN層12に不純物をドープする。MOCVD法により、n-AlxGa1-xN層12の表面に、エピタキシャル膜のAlyGa1-yNからなる第1キャップ層2aおよびAlzGa1-zNからなる第2キャップ層2bを順次形成して、被処理基板2を形成する。その後、被処理基板2に対して高温で活性化アニールを行うことにより、n-AlxGa1-xN層12からの窒素抜けを抑制しつつ、ドープした不純物を活性化させる。活性化アニール後、第2キャップ層2bを塩素系ドライエッチング法により除去し、第1キャップ層2aをKOH水溶液によるウェットエッチング法により除去する。【選択図】図2B

Claim (excerpt)：

窒化物系半導体層を有する半導体装置の製造方法において、基体上にAlxGa1-xNからなる第1窒化物系半導体層を形成する第1形成工程と、前記第1窒化物系半導体層に不純物を導入する不純物導入工程と、前記第1窒化物系半導体層上にAlyGa1-yNからなる第2窒化物系半導体層を形成する第2形成工程と、前記第2窒化物系半導体層上にAlzGa1-zNからなる第3窒化物系半導体層を形成する第3形成工程と、前記第3形成工程後に、前記第1窒化物系半導体層、前記第2窒化物系半導体層、および前記第3窒化物系半導体層に対して、熱処理を行う熱処理工程と、を含み、前記第2窒化物系半導体層のAl組成比yが、前記第1窒化物系半導体層のAl組成比xより大きく、かつ、前記第3窒化物系半導体層のAl組成比zよりも大きいことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/336 , H01L 29/78 , H01L 29/12

FI (4)：

H01L29/78 658A , H01L29/78 652T , H01L29/78 658E , H01L29/78 658G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

化合物半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2011-241703 Applicant：富士通株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2009-144323 Applicant：富士通株式会社
半導体素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-000704 Applicant：株式会社東芝

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