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J-GLOBAL ID：201503019637381462

シリコン基板

Inventor： 森田 瑞穂 ,  川合 健太郎 ,  打越 純一 ,  足達 健二 ,  永井 隆文
Applicant, Patent owner： 国立大学法人大阪大学 ,  ダイキン工業株式会社
Agent (1)： 特許業務法人三枝国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014039957
Publication number (International publication number)：2015165526
Application date： Feb. 28, 2014
Publication date： Sep. 17, 2015
Summary：

【課題】種々の反射防止機能を有する表面形状を有するシリコン基板を自在に且つ簡便に形成できる方法及びそれにより得られるシリコン基板を提供する。【解決手段】少なくとも片面に、以下の(A)〜(F):(A)上下方向に伸びる溝が形成された側面を有する逆ピラミッド形状の凹部、(B)上下方向に伸びる溝が形成された側面と、三角形状の痕が形成された側面とを有する、略逆ピラミッド形状の凹部、(C)三角形状の痕が形成された側面を有する逆ピラミッド形状の凹部、(D)逆ピラミッド形状の孔及び上下方向に伸びる溝が形成された側面を有する逆ピラミッド形状の凹部、(E)底面が5以上の多角形である逆多角錐形状の凹部、(F)平均直径が1〜10μmであり、且つ、大きさがランダムである逆ピラミッド形状の凹部の少なくとも1つが形成された、シリコン基板。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

少なくとも片面に、 (A)上下方向に伸びる溝が形成された側面を有する逆ピラミッド形状の凹部 が形成された、シリコン基板。

IPC (3)：

H01L 31/023 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/308

FI (3)：

H01L31/04 280 ,  H01L21/306 B ,  H01L21/308 B

F-Term (10)：

5F043AA02 ,  5F043BB02 ,  5F043DD07 ,  5F043FF10 ,  5F151AA02 ,  5F151AA03 ,  5F151CB21 ,  5F151GA04 ,  5F151GA15 ,  5F151HA07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• テクスチャ形成面を有するシリコン基板およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2012-088251   Applicant：パナソニック株式会社
• マイクロデバイス及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-265900   Applicant：株式会社リコー

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• Differences in etching characteristics of TMAH and KOH on preparing inverted pyramids for silicon ce
• Large-area multicrystalline silicon solar cell fabrication using reactive ion etching (RIE)
• Wideband anti-reflective micro/nano dual-scale structures: fabrication and optical properties
• Large-area multicrystalline silicon solar cell fabrication using reactive ion etching (RIE)
• Wideband anti-reflective micro/nano dual-scale structures: fabrication and optical properties