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J-GLOBAL ID：201503034970954290

III族窒化物半導体素子製造用基板およびIII族窒化物半導体自立基板またはIII族窒化物半導体素子の製造方法

Inventor： 鳥羽 隆一 ,  宮下 雅仁 ,  八百 隆文 ,  藤井 克司
Applicant, Patent owner： DOWAエレクトロニクス株式会社 ,  DOWAホールディングス株式会社
Agent (3)： 杉村 憲司 ,  来間 清志 ,  川原 敬祐
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2010222767
Publication number (International publication number)：2012077345
Patent number：5665463
Application date： Sep. 30, 2010
Publication date： Apr. 19, 2012
Claim (excerpt)：

【請求項1】 成長用下地基板上に、クロム層を形成する成膜工程と、 該クロム層を、所定の条件で窒化することによりクロム窒化物層とする窒化工程と、 該クロム窒化物層上に、少なくとも1層のIII族窒化物半導体層をエピタキシャル成長させる結晶層成長工程と を具えるIII族窒化物半導体素子製造用基板の製造方法であって、 前記クロム層は、スパッタリング法により、スパッタリング粒子飛程領域における成膜速度が7〜65Å/秒の範囲で、厚さが50〜300Åの範囲となるよう成膜され、 前記クロム窒化物層は、炉内圧力6.666kPa以上66.66kPa以下の、温度1000°C以上のMOCVD成長炉内において、アンモニアガスを含むガス雰囲気中で形成され、前記ガス雰囲気中のアンモニアガス以外のガス成分は、窒素ガスおよび水素ガスからなるキャリアガスとし、該キャリアガスに占める窒素ガスの含有比率は60〜100体積%の範囲であることを特徴とするIII族窒化物半導体素子製造用基板の製造方法。

IPC (6)：

C30B 29/38 ( 200 6.01) ,  C23C 14/34 ( 200 6.01) ,  H01L 33/32 ( 201 0.01) ,  C23C 14/14 ( 200 6.01) ,  C23C 14/58 ( 200 6.01) ,  C30B 25/18 ( 200 6.01)

FI (6)：

C30B 29/38 D ,  C23C 14/34 U ,  H01L 33/00 186 ,  C23C 14/14 D ,  C23C 14/58 Z ,  C30B 25/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-252327   Applicant：株式会社東北テクノアーチ, 古河機械金属株式会社, 三菱化学株式会社, DOWAエレクトロニクス株式会社, エピバレー株式会社
• 構造体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-272321   Applicant：株式会社東北テクノアーチ, 古河機械金属株式会社, 三菱化学株式会社, DOWAエレクトロニクス株式会社, エピバレー株式会社
• III族窒化物半導体とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-221774   Applicant：株式会社東北テクノアーチ, DOWAエレクトロニクス株式会社