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J-GLOBAL ID：201503036287060758

半導体基材の状態測定方法及び状態測定装置

Inventor： 中村 圭二 ,  中野 由崇 ,  郭 穎 ,  菅井 秀郎
Applicant, Patent owner： 学校法人中部大学
Agent (2)： 恩田 博宣 ,  恩田 誠
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2010128021
Publication number (International publication number)：2011254007
Patent number：5667382
Application date： Jun. 03, 2010
Publication date： Dec. 15, 2011
Claim (excerpt)：

【請求項1】 プラズマ発生手段によってチャンバ内にプラズマを発生させ、 前記チャンバ内に配置された陰極に負電圧を印加し、 前記チャンバ内に配置された基材ホルダー電極により保持された半導体基材における前記陰極から発生する電子の衝突による発光態様に基づいて、前記半導体基材における電子のエネルギー分布状態を測定し、 前記半導体基材の発光態様に応じて、前記半導体基材の結晶欠陥の相対量を検出する ことを特徴とする半導体基材の状態測定方法。

IPC (2)：

H01L 21/3065 ( 200 6.01) ,  H01L 21/205 ( 200 6.01)

FI (2)：

H01L 21/302 103 ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• ドライエッチング装置及び該装置を用いたドライエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-036223   Applicant：松下電器産業株式会社
• 特開平3-054824
  
• 特開平2-181913
  
• プラズマ処理装置及び処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-276668   Applicant：株式会社日立製作所

Cited by examiner (4)

• ドライエッチング装置及び該装置を用いたドライエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-036223   Applicant：松下電器産業株式会社
• 特開平3-054824
  
• 特開平2-181913
  
• プラズマ処理装置及び処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-276668   Applicant：株式会社日立製作所