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J-GLOBAL ID:201503039499331076
フォトマスク及びフォトマスクの製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
森脇 正志
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2013154412
Publication number (International publication number):2015025894
Application date: Jul. 25, 2013
Publication date: Feb. 05, 2015
Summary:
【課題】静電破壊を防止できる裏面保持式の露光装置に適用可能なフォトマスクとその製造方法を提供する。【解決手段】マスクパターン4が形成された透明基板1の膜面側に、マスクパターン4と導通する導電膜2が設けられ、この導電膜2が透明基板1の膜面側から側面部に達する。このような構成のフォトマスクによると、裏面保持式の近接露光装置に取り付けてもチャージアップしにくく、静電破壊によるパターンの消失を効果的に防止できる。【選択図】図1
Claim (excerpt):
フォトマスクであって、
マスクパターンが形成された膜面側に
前記マスクパターンと導通する導電膜が設けられ、
前記膜面側からフォトマスクの側面部に達することを特徴とするフォトマスク。
IPC (1):
FI (1):
F-Term (4):
2H095BA03
, 2H095BB25
, 2H095BC16
, 5F146BA02
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
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特開昭61-270761
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特開昭61-270761
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特開昭55-096951
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