窒化物半導体多層構造体の製造方法

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Applicant, Patent owner： ,
Agent (5)：西川惠清 , 水尻勝久 , 坂口武 , 北出英敏 , 仲石晴樹
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2011529977
Patent number：5704724
Application date： Sep. 07, 2010
Claim (excerpt)：

【請求項1】単結晶基板を反応炉内に配置した状態において、減圧MOVPE法を用いて、所定の基板温度及び所定の成長圧力下で、Alの原料ガスの物質量に対するNの原料ガスの物質量の比が第1物質量比に設定された状態で前記反応炉内にAlの原料ガスとNの原料ガスとを供給することによって、前記単結晶基板の一表面上にAlを構成元素として含む窒化物半導体からなる多数の島状の核を形成するステップaと、所定の基板温度及び所定の成長圧力下で、Alの原料ガスの物質量に対するNの原料ガスの物質量の比が第2物質量比に設定された状態で前記反応炉内にAlの原料ガスとNの原料ガスとを供給することによって、隣り合う前記核の間の隙間を埋め込み且つ全ての前記核を覆うように第1の窒化物半導体層を形成するステップbと、所定の基板温度及び所定の成長圧力下で、Alの原料ガスの物質量に対するNの原料ガスの物質量の比が第3物質量比に設定された状態で前記反応炉内にAlの原料ガスとNの原料ガスとを供給することによって、前記第1の窒化物半導体層上に第2の窒化物半導体層を形成するステップcとを有する窒化物半導体多層構造体の製造方法であって、前記第1の窒化物半導体層と前記第2の窒化物半導体層は、それぞれAlを構成元素として含み、前記の各ステップa〜cにおいて、同じ基板温度であり、かつ、前記核および前記第1の窒化物半導体層および前記第2の窒化物半導体層を形成するための成長圧力は同じに設定されることを特徴とする窒化物半導体多層構造体の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/205 ( 200 6.01) , H01L 33/10 ( 201 0.01) , H01L 33/06 ( 201 0.01) , H01L 33/32 ( 201 0.01) , C23C 16/34 ( 200 6.01)

FI (5)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 130 , H01L 33/00 112 , H01L 33/00 186 , C23C 16/34

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

光半導体素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-219890 Applicant：独立行政法人理化学研究所, 国立大学法人埼玉大学
半導体層の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-279557 Applicant：理化学研究所
窒化物半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-279913 Applicant：日亜化学工業株式会社

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