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J-GLOBAL ID:201503095771545177

超伝導バルク体とその製造方法および超伝導バルク磁石

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 特許業務法人特許事務所サイクス
Gazette classification:特許公報
Application number (International application number):2011080348
Publication number (International publication number):2012214329
Patent number:5736216
Application date: Mar. 31, 2011
Publication date: Nov. 08, 2012
Claim (excerpt):
【請求項1】 RE-Ba-Cu-O系円柱状結晶片を含む超伝導バルク体であって、 前記REは、Y,Nd,Sm,Eu,Gd,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,およびLuからなる群より選択される1種類または2種類以上の元素を表し、 前記RE-Ba-Cu-O系円柱状結晶片の上面と下面が下記の式(1)および式(2)を満たす、超伝導バルク体。 式(1): 0.93 ≦ X ≦ 1.07 (上式においてXは、超伝導相の組成式RExBa2Cu3Oy(yは6.8〜7.0)におけるX値を表す。) 式(2): θc ≦ 6° (上式において、θcは前記上面または前記下面で観測される結晶の主軸のうちc軸に最も近いものとc軸とのなす角度を表し、前記上面と前記下面に結晶の主軸が観測されない場合は式(2)を満たさないものとする。)
IPC (3):
C01G 3/00 ( 200 6.01) ,  C01G 1/00 ( 200 6.01) ,  H01F 6/06 ( 200 6.01)
FI (3):
C01G 3/00 ,  C01G 1/00 ZAA S ,  H01F 5/08 B
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (12)
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