グラフェン製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：山川政樹 , 山川茂樹 , 小池勇三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2013140419
Publication number (International publication number)：2015013766
Application date： Jul. 04, 2013
Publication date： Jan. 22, 2015
Summary：

【課題】グラフェンの構造を破壊せずに、SiC上に形成したグラフェンを他基板へ転写できるようにする。【解決手段】グラフェン102の上に、ポリビニルアルコールの膜(PVA膜)103を形成する(犠牲層形成工程)。例えば、PVA(polyvinyl alcohol)を質量パーセント濃度10%で溶解した水溶液を、グラフェン102が形成されているSiC基板101の表面に滴下し、毎分1500回転の条件で1分間スピンコートする。次いで、設定温度を75°Cとしたホットプレートの上で5分間加熱し、塗布した膜より水分を除去し、PVA膜103とする。PVA膜103は、犠牲層として用いる。【選択図】図1D

Claim (excerpt)：

SiC基板を加熱して前記SiC基板の表面にグラフェンを形成するグラフェン形成工程と、前記グラフェンの上に有機材料から構成されて溶剤に溶解する犠牲層を形成する犠牲層形成工程と、前記犠牲層の上に粘着テープを貼り付ける粘着テープ貼り付け工程と、前記粘着テープを前記SiC基板より引き離すことで前記グラフェンを前記SiC基板より剥離し、前記粘着テープの上に前記犠牲層を介して前記グラフェンが配置された状態とする剥離工程と、剥離した前記グラフェンを他基板に貼り付ける貼り付け工程と、他基板に貼り付けた前記グラフェンの上の前記犠牲層を前記溶剤に溶解することで除去し、前記グラフェンより前記粘着テープを分離する除去工程とを備えることを特徴とするグラフェン製造方法。

IPC (1)：

C01B 31/02

FI (1)：

C01B31/02 101Z

F-Term (18)：

4G146AA01 , 4G146AB07 , 4G146AC16B , 4G146AD22 , 4G146AD23 , 4G146AD28 , 4G146AD40 , 4G146BA08 , 4G146BC02 , 4G146CB01 , 4G146CB15 , 4G146CB19 , 4G146CB23 , 4G146CB29 , 4G146CB34 , 4G146CB35 , 4G146CB36 , 4G146CB40

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

大面積グラフェンの製造方法及び転写方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2010-251597 Applicant：三星電子株式会社, 成均館大學校産學協力團
グラフェン層の剥離方法、グラフェンウエハの製造方法、グラフェンウエハ、及び、グラフェン素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2009-148308 Applicant：株式会社沖データ, 株式会社沖デジタルイメージング
グラフェン-カーボンナノチューブ複合構造体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2011-190456 Applicant：ツィンファユニバーシティ, 鴻海精密工業股ふん有限公司

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